無帯電負イオン注入技術と負イオン注入装置 (特集/負イオン利用技術の現状--負イオン発見100年を記念して)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 石英ガラスへの金属負イオン多重注入による表面プラズモン共鳴吸収帯域の制御
- 銅負イオン注入による二酸化チタンの光吸収特性の変化と銅超微粒子の形成
- シリコン電界放出電子源から放出される電子のエネルギー分析
- イオン注入装置の帯電緩和素子への応用を目指したシリコンフィールドエミッタアレイの開発(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 金属負イオン注入による二酸化チタンルチルの光触媒効率の改善
- 窒化ハフニウムフィールドエミッタアレイを用いた真空トランジスタの周波数特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 三フッ化メタンプラズマ処理したシリコン電界放出電子源の表面状態と電子放出特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 真空トランジスタのコレクタ形状とコレクタ特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 窒化ハフニウムを陰極とした電界放出電子源の作製(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 高周波マグネトロンスパッタリングによる遷移金属窒化物・炭化物薄膜の作製と冷陰極材料としての評価
- 極微電子源の陰極材料としての遷移金属窒化物薄膜の低温形成
- 極微フィールドエミッタへのイオン衝撃に関する計算機実験
- シリコン微小電子源のイオンビーム空間電荷中和への応用(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 半球形阻止電界型エネルギー分析器を用いたシリコン電界放出電子源のエネルギー分析
- 水素ガス導入下におけるSi:C電界放出電子源の経時変化の測定
- 窒化ハフニウムフィールドエミッタアレイの耐久性の評価
- 高分解能ラザフォード後方散乱分析(RBS)による銀負イオン注入熱酸化薄膜における銀の熱拡散分布の測定と拡散障壁による単層銀ナノ粒子の形成
- ゲート電極付き窒化ニオブフィールドエミッタの作製
- イオンビームアシスト蒸着法により作製した窒化ニオブフィールドエミッタの電子放出特性
- 真空マイクロエレクトロニクス素子の陰極材料としての窒化ニオブ薄膜の作製と評価
- 雑音電力を用いた極微フィールドエミッタの安定性の定量的評価
- 電界電子放出特性その場解析アナログ回路の改良(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 炭素負イオン注入処理を施した高分子材料上におけるタンパク質吸着性の評価
- 負イオン注入形成Geナノ粒子含有SiO_2薄膜の電気的特性
- S-Kチャートによる電界放出デバイス評価技術(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 真空ナノエレクトロニクス素子の切片傾きチャートによる解析
- レーザ照射処理を施したカーボンナノチューブの電子放出特性の切片傾きチャートによる解析
- マイクロガスジェットイオン源の放電特性把握実験
- 低エネルギー小型マイクロ波イオン源を用いたイオソビームアシスト蒸着装置の開発
- HfN薄膜からのスパッタイオンの放出角度分布測定
- イオンビームアシスト蒸着による炭化タンタル薄膜の作製と冷陰極材料としての評価
- シリコン基板上熱酸化膜中への銀負イオン注入で作製した銀ナノ粒子の光反射特性による評価
- 炭素負イオン注入により改質した生分解性ポリ乳酸表面の神経細胞接着特性
- 細胞接着特性の向上を目指した負イオン注入ポリスチレンの原子間力顕微鏡による表面観測
- 負イオン注入によるポリスチレン表面の神経細胞接着特性の改質とパターン化処理
- 負イオン注入によるポリスチレン表面の神経細胞適合性の改質
- 銀負イオン注入による組織培養ポリスチレン表面の細胞接着特性の改質
- 熱酸化シリコン薄膜へのゲルマニウム負イオン斜め注入とフォトルミネッセンス評価
- 真空マイクロエレクトロニクス素子のための窒化ジルコニウム薄膜の作製と評価
- 真空蒸着装置(イオンビームアシスト蒸着法)の作製と窒化ジルコニウム薄膜への応用(平成8年度第1回関西支部研究例会の講演要旨)
- 低エネルギー炭素負イオンビーム蒸着膜の原子間結合状態のエネルギー依存性
- イオン照射表面のその場観察を目的とした超高真空走査トンネル顕微鏡装置の開発
- 低エネルギーCN分子負イオンビーム蒸着膜における窒素含有率のエネルギー依存性
- サマリー・アブストラクト
- 窒化物ターゲットを用いた高周波スパッタリング法によるハフニウム及びタンタル窒化物薄膜の形成と評価
- マグネトロンスパッタ法による遷移金属炭化物薄膜の形成と冷陰極材料としての評価
- サマリウム金薄膜の仕事関数評価
- 熱酸化シリコン薄膜へのゲルマニウム負イオン斜め注入とフォトルミネッセンス評価
- 高周波プラズマスパッタ型負重イオン源からのCN分子負イオン引き出しとCN負イオンビーム蒸着膜の作製
- 高周波プラズマスパッタ型負重イオン源におけるSF_6からのフッ素負イオン引き出し
- 電子放出特性その場解析装置の開発
- イオンビームアシスト蒸着法による窒化ニオブ薄膜の配向制御
- 拡張Huckel法を用いた原子変位のあるグラファイト表面の電子密度分布計算
- 球形ソーダガラスビーズへの金属負イオン注入とプラズモン吸収による光学特性の変化
- 科学解説 ダイヤモンド薄膜からの電子放出特性とその解釈
- 負イオン注入における絶縁物からの放出二次電子の測定
- 球状粉体への負イオン注入による均一性評価と注入原子の深さ方向分布
- 低エネルギーのアルゴンイオンを照射したグラファイト表面の走査トンネル顕微鏡による観測
- 真空トランジスタによる振幅変調波の検波(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 四極構造の真空トランジスタを用いた周波数混合実験(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- シリコンおよび二酸化シリコンのフッ素負イオンエッチング特性
- 無帯電負イオン注入技術と負イオン注入装置 (特集/負イオン利用技術の現状--負イオン発見100年を記念して)
- スパッタリングによる負重イオン生成とRFプラズマスパッタ型負重イオン源 (特集/負イオン利用技術の現状--負イオン発見100年を記念して)