Boron Emission Rate from Si/SiO_2 Interface Traps to Bulk Silicon for Dose Loss Modeling
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概要
- 論文の詳細を見る
- 2005-01-15
著者
-
辻 博司
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
TSUJI Hiroshi
Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University
-
Tsuji Hiroshi
Department Of Electronics And Information Systems Osaka University
-
TANIGUCHI Kenji
Department of Cancer Research, Fuji Gotemba Research Laboratories, Chugai and Pharmaceutical Co
-
Taniguchi K
Osaka Univ. Osaka Jpn
-
Furuhashi Masayuki
Department of Electronics and Information Systems, Osaka University
-
Tachi Masayuki
Department of Electronics and Information Systems, Osaka University
-
Hirose Tetsuya
Graduate School Of Engineering Kobe University
-
Taniguchi Kenji
Department Of Electronics And Information Systems Osaka University
-
Taniguchi K
Kyushu Univ.
-
Hirama Toshiyasu
Research Center For Charged Particle Therapy National Institute Of Radiological Sciences
-
Tachi Masayuki
Department Of Electronics And Information Systems Osaka University
-
Hirose Tetsuya
Kobe Univ. Kobe‐shi Jpn
-
Taniguchi Kenji
Department Of Biotechnology Tottori University
-
Tsuji Hiroshi
Department Of Applied Physics Faculty Of Engineering Osaka City University
-
Furuhashi Masayuki
Department Of Electronics And Information Systems Osaka University
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