金属誘起横方向結晶化におけるSi単結晶細線の成長特性(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
金属誘起横方向結晶化においてNi供給量を制限し、アニール温度を低温化することによってSi銅線の形成を試みた。この方法によってa-Si膜厚が100nmのとき幅が約100nm、長さ10μm以上のSi細線を形成することができた。この細線成長特性はa-Si膜厚が薄い場合には、幅が成長方向に拡がる結晶が連なった形となる。また、成長方向が頻繁に変化し、分岐の多い結晶となる。一方、a-Si膜厚が厚い場合には、結晶は幅が一定の直線上となるが、厚くなるにつれて立体的に交錯すようになる。このSi細線の成長機構を調べるため、MILC成長時における自然核形成密度の距離依存性を評価した。自然核形成密度はガウス分布で近似できることから、核形成密度の増加はNiの拡散によるものであることが示唆される。このa-Si中に拡散したNiがSi細線成長結晶成長に影響を与えると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-04-08
著者
-
浅野 種正
九州工業大学 マイクロ化総合技術センター
-
牧平 憲治
九州工業大学マイクロ化総合技術センター
-
浅野 種正
九州大学大学院システム情報科学研究院
-
Asano Tanemasa
Center For Microelectronics Systems Kyushu Institute Of Technology
-
牧平 憲治
関西大
関連論文
- 円錐バンプとくさびつき対向電極を用いた高密度・常温チップ積層技術の開発
- 先鋭マイクロバンプによる高密度・低温・エリア接続チップ積層技術(不揮発メモリと関連技術及び一般)
- インクジェット法で作製したカーボンブラックからの電界電子放出
- インクジェット法で作製したカーボンブラックからの電界電子放出(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 有機物のイオン照射改質によるマイクロコールドエミッタ材料の創製
- (3) 学部教育での集積回路チップ設計製作実習(第1セッション 教育システム(1))
- イオンビーム改質したフォトレジストからの電子放出
- 陽極化成で形成したSiフィールドエミッタの電子放出特性
- 陽極化成による単結晶シリコンフィールドエミッタの製作
- (44)マイクロ構造を利用した新分野の実習教育 : 集積回路からバイオセンサーまで(第13セッション 教材の開発(I))
- マランゴニ効果を用いたマイクロアクチュエーター
- イオン照射による薄膜の変形現象を利用して作製した電界放出型電子源(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- ダブルパルスレーザ走査法による多結晶Si結晶粒の横方向成長とTFT特性(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- イオン照射による薄膜の変形現象を利用して作製した電界放出型電子源(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- ダブルパルスレーザ走査法による多結晶Si結晶粒の横方向成長とTFT特性(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 九州工業大学マイクロ化総合技術センター
- C-12-5 SiPの実装条件が高速インターフェイスの伝送特性に及ぼす影響(C-12.集積回路A(設計・テスト・実装技術),エレクトロニクス2)
- インクジェット法による高精度配列電子源アレイの作製(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- インクジェット法で作製したカーボンブラックからの電界電子放出
- 金属誘起横方向結晶化のNi供給量制限下における結晶成長特性
- 金属誘起横方向結晶化のNi供給量制限下における結晶成長特性
- 金属誘起横方向結晶化のNi供給量制限下における結晶成長特性
- 熱拡散法によるCMOSデバイスの試作(3) : インバータ回路の製作・まとめ
- 熱拡散法によるCMOSデバイスの試作(1) : 試作プロセスの検討
- 真空マイクロデバイスへの応用
- 一軸応力下におけるSOI MOSFETの基板浮遊効果(SiP応力解析技術, 先端電子デバイス実装技術と解析・評価技術の最新動向論文)
- Ni供給量制限下におけるMILC成長に電界印加が及ぼす影響(有機EL, TFT,及び一般)
- Ni供給量制限下におけるMILC成長に電界印加が及ぼす影響(有機EL, TFT,及び一般)
- Ni供給量制限下におけるMILC成長に電界印加が及ぼす影響(有機EL, TFT,及び一般)
- 金属誘起横方向結晶化におけるSi単結晶細線の成長特性(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
- 金属誘起横方向結晶化におけるSi単結晶細線の成長特性(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
- 金属誘起横方向結晶化におけるSi単結晶細線の成長特性(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
- 金属インプリント法による結晶粒位置制御と単結晶Si薄膜トランジスタへの応用(低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
- 完全自己整合型ダブルゲート poly-Si TFT
- 完全自己整合型ダブルゲートpoly-Si TFT
- 金属インプリント法による多結晶シリコンの核発生制御
- SC-8-7 金属インプリント法による結晶粒位置制御と薄膜トランジスタへの応用
- 金属インプリント法による結晶粒位置制御と単一結晶粒Si薄膜トランジスタへの応用
- C-12-1 VS-MOSによる自律適応的電力・速度制御型論理システム(C-12.集積回路A(設計・テスト・実装技術),エレクトロニクス2)
- 次世代ULSI用歪シリコンウェーハの開発(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 次世代ULSI用歪シリコンウェーハの開発(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- ドーピングしたa-Si薄膜の金属誘起横方向固相結晶化特性
- ドーピングしたa-Si薄膜の金属誘起横方向固相結晶化特性(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- ドーピングしたa-Si薄膜の金属誘起横方向固相結晶化特性(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- ドーピングしたa-Si薄膜の金属誘起横方向固相結晶化特性(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- ドーピングしたa-Si薄膜の金属誘起横方向固相結晶化特性
- ドーピングしたa-Si薄膜の金属誘起横方向固相結晶化特性
- Si薄膜のNi供給量制限MILC成長における電界印加効果(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- Si薄膜のNi供給量制限MILC成長における電界印加効果(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- SOI-MOSFETによる光検出
- スタンプ法による有機材料の構造形成と電界放出型微小電子源への応用
- Si/SiGeヘテロ接合コレクターによるトレンチIGBTの低損失化
- SOI-MOSFET/ダイオード複合デバイスにおける光検出特性のゲート電位依存性
- SOI-MOSFET/ダイオード複合デバイスにおける光検出特性のゲート電位依存性
- SOI-MOS素子による光電流増幅
- SOI MOSFETのバイポーラ効果による光電流増加
- SOI MOSFETのバイポーラ効果による光電流増幅
- SOI-MOS素子による光電流増幅
- EID2000-20 SOI-MOS素子による光電流増幅
- プラズマ・ゲート酸化が多結晶シリコンTFTの特性に与える効果(Thin Film Devices and Systems, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005)
- マイクロ波励起プラズマ酸化による歪みSi/SGOI側壁へのGe濃縮抑制(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- プラズマ・ゲート酸化が多結晶シリコンTFTの特性に与える効果(Thin Film Devices and Systems, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005)
- マイクロ波励起プラズマ酸化による歪みSi/SGOI側壁へのGe濃縮抑制(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- リングオシレータによるスペクトル拡散方式
- 歪みSi/SiGe上に形成したマイクロ波励起プラズマ酸化膜の特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 歪みSi/SiGe上に形成したマイクロ波励起プラズマ酸化膜の特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- チャネルサイズ可変調MOSFETによる論理しきい値変換回路(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- チャネルサイズ可変調MOSFETによる論理しきい値変換回路
- チャネルサイズ可変調MOSFETによる論理しきい値変換回路(システムLSIのための先進アーキテクチャ論文)
- RIEにより作製した有機物針状突起群を電子源とする三極素子の作製
- ショットキー・ソース/ドレインMOSFETによるキンク電流の抑制
- 浅くドープしたエクステンションをもつnチャネル・ショットキーソース/ドレインSOI-MOSFET
- ショットキー接触をソース/ドレインに用いたSOI-MOSFETの特性
- ショットキー接触をソース/ドレインに用いたSOI-MOSFETの特性
- ショットキー接触をソース/ドレインに用いたSOI-MOSFETの特性
- PtSiショットキー障壁 SOI-MOSFET
- 有機材料のスタンプ成形による高密度電子源ティップアレイの作製
- 絶縁体でバインドされたパラジウム微粒子膜からの電界電子放出
- 高速指向の新しいSOI-CBiCMOS複合デバイス
- ボイドカット法を利用したフィールドエミッタアレイの形成
- 5H-6 再構成型アナログデバイスを用いた画像認識処理の高速化
- C-12-63 再構成型アナログアレイ向きA/Dコンバータの設計
- プログラマブルデバイスを用いたアナログ/ディジタル混在回路
- (41)高専の卒業研究における半導体集積回路分野への導入教育 : pn接合の形成からnMOSリングオシレータの試作まで(第11セッション 教育研究指導(I))
- ショットキー・ソース/ドレインMOSFETによるキンク電流の抑制
- Niシリサイド・ショットキー障壁ソース/ドレインSOI-MOSFETの特性
- Niシリサイド・ショットキー障壁ソース/ドレインSOI-MOSFETの特性
- 2H-5 FPGA/DIMMを実装したPCIカードの作製
- C-11-5 SOI構造をもつ新しいCBiCMOSデバイスの試作
- 高速指向の新しいSOI-CBiCMOS複合デバイス
- 高速指向の新しいSOI-CBiCMOS複合デバイス
- C-11-4 SOI構造をもつpMOS/npn複合トランジスタの試作
- SOI構造を用いた新しい電流増幅型MOSデバイス
- BiCMOS用低電圧動作トンネル注入BJT
- BiCMOS回路用低電圧動作BJTの検討
- 金属インプリント法による結晶粒位置制御と単一結晶粒Si薄膜トランジスタへの応用
- 金属インプリント法による擬似単結晶poly-Si TFT
- 金属インプリント法による擬似単結晶poly-Si TFT
- ゲート酸化膜を薄膜化したショットキーソース/ドレインSOI-MOSFETの特性
- 金属インプリント法によるpoly-Si結晶粒位置制御とTFTへの応用