Si薄膜のNi供給量制限MILC成長における電界印加効果(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
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概要
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Niの供給量を制限した状態で、電界を印加しながら金属誘起横方向結晶化(Metal-Induced Lateral Crystallization : MILC)を行い、MILC成長メカニズムと電界印加の効果について調査した。電界を印加することで横方向成長距離は見かけ上、正極側で大幅に増加し、逆に負極側では減少するという結果を得た。成長が促進された正極側のSi結晶をSEMで観察したところ、MILCによって一様に成長したSi結晶の先に針状結晶群が成長しており、更に成長端では結晶成長が不連続で互いに独立して成長した針状Si結晶が観測された。この現象を解明するためにNiの供給を停止した状態で電界印加MILCを行った結果、Niの供給を停止しない場合と比較して正極側の成長距離は大幅に減少した。またその時、正極側には独立した針状Si結晶は発生しなかった。これらの結果から、電界はMILC成長を促進しているのではなく、a-Si中へのNiの拡散を促進していると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-06-23
著者
-
浅野 種正
九州工業大学 マイクロ化総合技術センター
-
中川 豪
九州大学大学院システム情報科学研究院
-
浅野 種正
九州大学大学院システム情報科学研究院
-
中川 豪
九州工業大学マイクロ化総合技術センター
-
Asano Tanemasa
Center For Microelectronics Systems Kyushu Institute Of Technology
-
柴田 憲利
九州工業大学マイクロ化総合技術センター
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