尾辻 泰一 | 九州工業大学
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概要
関連著者
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尾辻 泰一
九州工業大学
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村田 浩一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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村田 浩一
Ntt未来ねっと研究所
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尾辻 泰一
九州工業大学情報工学部制御システム工学科
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村田 浩一
日本電信電話株式会社
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清水 直文
Ntt未来ねっと研究所
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佐野 栄一
NTT未来ねっと研究所
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佐野 公一
NTT未来ねっと研究所
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明吉 智幸
NTTフォトニクス研究所
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尾辻 泰一
九州工大 情報工
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尾辻 泰一
九州工業大学大学院情報工学研究科:東北大学電気通信研究所
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佐野 栄一
北海道大学大学院情報科学研究科
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浅野 種正
九州工業大学 マイクロ化総合技術センター
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花辺 充広
東北大学電気通信研究所
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浅野 種正
九工大マイクロ化センター
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浅野 種正
九州大学大学院システム情報科学研究院
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浅野 種正
九州工大
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Asano Tanemasa
Center For Microelectronics Systems Kyushu Institute Of Technology
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北村 元
九州工業大学情報工学部
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佐藤 賢太
九州工業大学大学院情報工学研究科
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有馬 裕
九州工業大学マイクロ化総合技術センター
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花辺 充広
九州工業大学大学院情報工学研究科
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重信 順一
九州工業大学大学院情報工学研究科
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中江 伸
九州工業大学 情報工学部
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浦部 幹宏
NTTドコモ九州株式会社
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Asano Tanemasa
Center For Microelectrortic Systems Kyushu Institute Of Technology
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中江 伸
九州工業大学情報工学部
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有馬 裕
九州工業大学大学院情報工学研究科
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徳光 雅美
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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加藤 繁
九州工業大学大学院情報工学研究科
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渡辺 直也
北海道大学 大学院医学研究科法医学
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尾辻 泰一
Ntt 光ネットワークシステム研究所
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遠山 尚武
九州工業大学工学部電子工学科
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松岡 裕
アンリツ(株)
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徳光 雅美
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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山本 裕一
九州工業大学マイクロ化総合技術センター
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浜砂 伸朗
九州工業大学マイクロ化総合技術センター
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渡辺 直也
九州工業大学マイクロ化総合技術センター
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尾辻 泰一
NTT システムエレクトロニクス研究所
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徳光 雅美
NTT システムエレクトロニクス研究所
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渡辺 直也
北海道大学大学院医学研究科
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岡田 豊
九州工業大学大学院情報工学研究科
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高橋 誠吾
九州工業大学大学院情報工学研究科
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宮崎 梨緒
九州工業大学大学院情報工学研究科
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浦部 幹宏
九州工業大学 情報工学部
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楢原 浩一
NTT システムエレクトロニクス研究所
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楢原 浩一
NTT 光ネットワークシステム研究所
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遠山 尚武
九州工業大学工学部電気工学科
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尾辻 泰一
九州工業大学工学部電子工学研究科
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尾辻 康一
九州工大
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佐野 栄一
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
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渡辺 直也
九州大学大学院システム情報科学研究院:福岡県産業・科学技術振興財団
著作論文
- モノリシック集積のためのクロック抽出回路
- C-10-26 モノリシック集積化のためのクロック抽出回路
- モノリシック集積のためのクロック抽出回路
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- C-12-5 SiPの実装条件が高速インターフェイスの伝送特性に及ぼす影響(C-12.集積回路A(設計・テスト・実装技術),エレクトロニクス2)
- C-12-1 VS-MOSによる自律適応的電力・速度制御型論理システム(C-12.集積回路A(設計・テスト・実装技術),エレクトロニクス2)
- C-10-6 高機能型MOS-FETによる電力・速度制御型論理ゲートの検討(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- 2次元プラズモン共鳴型フォトミキサーのテラヘルツ帯電界放射特性の解析(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
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- PC-1-4 テラヘルツエレクトロニクスとその次世代フォトニックネットワークへの応用
- 電界効果型プラズマ共鳴トランジスタのテラヘルツ電磁波発振/検出特性解析
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- 20 Gbit/s動作スタティック識別器
- 超高速半導体集積回路設計と光電子融合技術
- プラズマ電子波トランジスタとそのテラヘルツ帯への応用
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- 共鳴トンネルダイオードと単一走行キャリアフォトダイオードを用いた80Gbit/s光電気融合Dフリップフロップ回路
- 共鳴トンネルダイオードと単一走行キャリアフォトダイオードを用いた80Gbit/s光電気融合Dフリップフロップ回路
- 共鳴トンネルダイオードと単一走行キャリアフォトダイオードを用いた80Gbit/s光電気融合Dフリップフロップ回路
- C-10-25 共鳴トンネルダイオードと単一走行キャリアフォトダイオードを用いた80Gbit/s光電気融合D-FFIC
- 銅添加シリコン中の歪誘起準位