銅添加シリコン中の歪誘起準位
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- モノリシック集積のためのクロック抽出回路
- C-10-26 モノリシック集積化のためのクロック抽出回路
- 金属-シリコン接触におけるリチャードソン定数
- Pt-Siショットキーダイオードの熱処理効果
- モノリシック集積のためのクロック抽出回路
- モノリシック集積のためのクロック抽出回路
- C-12-5 SiPの実装条件が高速インターフェイスの伝送特性に及ぼす影響(C-12.集積回路A(設計・テスト・実装技術),エレクトロニクス2)
- 衝撃電圧による油中放電の研究 (I)
- 6H-SiC(0001)表面再構成過程のSTM・LEED研究
- レーザー照射効果を用いたカーボンナノチューブの成長制御
- 6H-SiC (0001) 再構成表面の走査トンネル顕微鏡/低速電子線回折法による解析
- C-12-1 VS-MOSによる自律適応的電力・速度制御型論理システム(C-12.集積回路A(設計・テスト・実装技術),エレクトロニクス2)
- C-10-6 高機能型MOS-FETによる電力・速度制御型論理ゲートの検討(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- 2次元プラズモン共鳴型フォトミキサーのテラヘルツ帯電界放射特性の解析(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
- 2次元プラズモン共鳴型フォトミキサーのテラヘルツ帯電界放射特性の解析
- PC-1-4 テラヘルツエレクトロニクスとその次世代フォトニックネットワークへの応用
- 電界効果型プラズマ共鳴トランジスタのテラヘルツ電磁波発振/検出特性解析
- 電界効果型プラズマ共鳴トランジスタのテラヘルツ電磁波発振/検出特性解析
- 20 Gbit/s動作スタティック識別器
- 銅を拡散したシリコンにおける析出現象のX線トポグラフィ(第一報) : 析出形態
- 超高速半導体集積回路設計と光電子融合技術
- プラズマ電子波トランジスタとそのテラヘルツ帯への応用
- プラズマ電子波トランジスタとそのテラヘルツ帯への応用
- 共鳴トンネルダイオードと単一走行キャリアフォトダイオードを用いた80Gbit/s光電気融合Dフリップフロップ回路
- 共鳴トンネルダイオードと単一走行キャリアフォトダイオードを用いた80Gbit/s光電気融合Dフリップフロップ回路
- 共鳴トンネルダイオードと単一走行キャリアフォトダイオードを用いた80Gbit/s光電気融合Dフリップフロップ回路
- C-10-25 共鳴トンネルダイオードと単一走行キャリアフォトダイオードを用いた80Gbit/s光電気融合D-FFIC
- 金属-Si接触系におけるリチャードソン定数
- ドライエッチングによる表面弾性波フィルタの製作
- PCM端局用アクティブフィルタの歩留推定比較
- レーザCVD法によるSiC薄膜の作成
- エレクトロクロミック材料の圧力効果と電気的特性
- 金属-MoO_3接触における圧力効果
- 金属-三酸化モリブデン接触系における圧力効果
- 銅添加シリコン中の歪誘起準位
- シリコン中の銅不純物準位
- ショットキバリアダイオードの圧力効果
- パンチスルー・バラクタ・ダイオードを用いた周波数3逓倍回路の解析