パンチスルー・バラクタ・ダイオードを用いた周波数3逓倍回路の解析
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 金属-シリコン接触におけるリチャードソン定数
- Pt-Siショットキーダイオードの熱処理効果
- 衝撃電圧による油中放電の研究 (I)
- アモルファス半導体におけるCURRENT CREEP現象
- 6H-SiC(0001)表面再構成過程のSTM・LEED研究
- レーザー照射効果を用いたカーボンナノチューブの成長制御
- 6H-SiC (0001) 再構成表面の走査トンネル顕微鏡/低速電子線回折法による解析
- 銅を拡散したシリコンにおける析出現象のX線トポグラフィ(第一報) : 析出形態
- 金属-Si接触系におけるリチャードソン定数
- ドライエッチングによる表面弾性波フィルタの製作
- PCM端局用アクティブフィルタの歩留推定比較
- レーザCVD法によるSiC薄膜の作成
- エレクトロクロミック材料の圧力効果と電気的特性
- 金属-MoO_3接触における圧力効果
- 金属-三酸化モリブデン接触系における圧力効果
- 銅添加シリコン中の歪誘起準位
- シリコン中の銅不純物準位
- ショットキバリアダイオードの圧力効果
- パンチスルー・バラクタ・ダイオードを用いた周波数3逓倍回路の解析