電界効果型プラズマ共鳴トランジスタのテラヘルツ電磁波発振/検出特性解析
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概要
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既存電子デバイスの周波数帯域限界を克服しうる素子として, 電界効果型トランジスタ(FET)の2次元電子ガス中での高濃度電子プラズマによる共鳴効果を利用したプラズマ共鳴トランジスタをとりあげ, FETとして代表的なSi MOSFET, GaAs MESFET, InP系HEMTを対象として, テラヘルツ帯における電磁波発振/検出特性を解析した.電子走行層内に高濃度に存在する伝導電子集団のプラズマ液体的特性を流体力学方程式で記述し, 準解析的にプラズマ共鳴特性のデバイスパラメータ/外部バイアスに対する依存性を算出した.優れた電子輸送特性を有するInP系HEMTにおいて最も優れたプラズマ共鳴特性を示し, ゲート長0.1μm以下のInP系HEMT及び同0.05μm以下のGaAs MESFETでは周波数可変のテラヘルツ電磁波発振/検出素子としての室温動作が期待できることがわかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-10-30
著者
-
尾辻 泰一
九州工業大学
-
尾辻 泰一
九州工大 情報工
-
尾辻 泰一
九州工業大学情報工学部制御システム工学科
-
北村 元
九州工業大学情報工学部
-
中江 伸
九州工業大学 情報工学部
-
浦部 幹宏
NTTドコモ九州株式会社
-
中江 伸
九州工業大学情報工学部
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