三村 高志 | 株式会社富士通研究所
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
三村 高志
株式会社富士通研究所
-
三村 高志
(株)富士通研究所
-
石川 元
(株)富士通研究所
-
浅野 種正
九州大学システム情報科学研究院
-
浅野 種正
九州大学
-
五明 明子
NEC
-
松本 和彦
阪大
-
冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
浅野 種正
九州大学大学院システム情報科学研究院
-
權田 俊一
大阪大学
-
松本 和彦
大阪大学
-
五明 明子
日本電気株式会社
-
松本 和彦
大阪大学産業科学研究所
-
冷水 佐壽
株式会社富士通研究所
著作論文
- 高電子移動度トランジスタ : HEMT-の発明
- 高電子移動度トランジスタ:HEMT
- 超高速HEMT LSI技術 (′88富士通総合技術展特集号)
- 湾曲した電流経路をもつ電子空間電荷制限電流の磁気整流効果(技術談話室)
- HEMT・ヘテロ接合素子集積回路への応用 (これからの超LSI技術の展望)
- HEMTの開発ストーリー(ものを作るこころ(第25回))
- 高電子移動度トランジスタ : (HEMT)
- 高電子移動度トランジスタ(HEMT) : n-AlGaAs/GaAsヘテロ接合を用いた新しい電界効果トランジスタ
- HEMTの発明と開発
- 高電子移動度トランジスタ(HEMT)の開発
- HEMT の開発経緯
- HEMT(高電子移動度トランジスタ)の発明と開発経緯
- HEMTの高速性を支配するもの (高速電子デバイスのスイッチング速度の決定機構〔含 コメント〕)
- HEMT--1986 (超格子・多層膜) -- (半導体超格子の応用)
- HEMT--誕生前後 (基礎研究特集号) -- (高分子の圧電・焦電・強誘電性)
- 三村高志のス-パ-デバイスHEMT-4-HEMT LSI:デビュ-へ秒読み
- 三村高志のス-パ-デバイスHEMT-3-HEMTの実用化
- 三村高志のス-パ-デバイスHEMT-1-HEMTの発明
- 三村高志のス-パ-デバイスHEMT-2-HEMT実証への道
- HEMTの開発を振り返る (新時代を迎える学会の対外連携と国際化)