成田 克 | 九州工業大学工学部
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概要
関連著者
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成田 克
山形大学工学部
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末光 眞希
東北大学電気通信研究所
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遠藤 哲郎
東北大学学際科学国際高等研究センター
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伊藤 隆
東北大学電気通信研究所
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中澤 日出樹
弘前大学大学院理工学研究科
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安井 寛治
長岡技術科学大学
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中澤 日出樹
弘前大学理工学部
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伊藤 隆
東北大学学際科学国際高等研究センター
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成田 克
九州工業大学工学部
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中澤 日出樹
弘前大学
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成田 克
山形大学
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遠藤 哲郎
東北大学電気通信研究所
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高田 雅介
長岡技術科学大学電気系
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高田 雅介
長岡技科大
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赤羽 正志
長岡技術科学大学
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高田 雅介
長岡技術科学大学
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深田 祐介
長岡技術科学大学電気系
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黒木 雄一郎
長岡技術科学大学電気系
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末光 眞希
東北大学学際科学国際高等研究センター
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黒木 雄一郎
長岡技術科学大学工学部
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小前 泰彰
長岡技術科学大学
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安部 和貴
長岡技術科学大学電気系
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末光 眞希
東北大通研
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末光 真希
東北大学電気通信研究所
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小前 泰彰
長岡技術科学大学電気系
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齋藤 健次
長岡技術科学大学
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伊藤 隆
東北大学際セ
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齋藤 健
長岡技術科学大学
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今野 篤史
東北大学
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末光 眞希
東北大学
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伊藤 隆
東北大学大学院工学研究科
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遠藤 哲郎
東北大学
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伊藤 隆
東北大学・学際科学国際高等研究センター
著作論文
- パルスモードホットメッシュCVD法による窒化物半導体のエピタキシャル成長(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-8 触媒反応CVD(Cat-CVD)法によるGaN結晶膜の省資源成長技術(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- ホットメッシュCVD法によるGaN成長 : ルテニウムコーティッドタングステンメッシュの効果(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-9 RuコートWを用いたHot-mesh CVD法によるGaN膜成長(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- Si基板上SiC極薄膜の低温形成とユビキタスデバイスへの応用