齋藤 健次 | 長岡技術科学大学
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概要
関連著者
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齋藤 健次
長岡技術科学大学
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高田 雅介
長岡技術科学大学電気系
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高田 雅介
長岡技科大
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赤羽 正志
長岡技術科学大学
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安井 寛治
長岡技術科学大学
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高田 雅介
長岡技術科学大学
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成田 克
山形大学工学部
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末光 眞希
東北大学電気通信研究所
-
遠藤 哲郎
東北大学学際科学国際高等研究センター
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齋藤 健
長岡技術科学大学
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伊藤 隆
東北大学電気通信研究所
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中澤 日出樹
弘前大学大学院理工学研究科
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中澤 日出樹
弘前大学理工学部
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伊藤 隆
東北大学学際科学国際高等研究センター
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末光 眞希
東北大通研
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末光 真希
東北大学電気通信研究所
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中澤 日出樹
弘前大学
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成田 克
山形大学
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永田 一樹
長岡技術科学大学
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小前 泰彰
長岡技術科学大学
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成田 克
九州工業大学工学部
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黒木 雄一郎
長岡技術科学大学電気系
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小前 泰彰
長岡技術科学大学電気系
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齊藤 健次
長岡技術科学大学
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築地 正俊
長岡技術科学大学
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鶴間 隆一
長岡技術科学大学工学部電気系
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鶴間 隆一
長岡技術科学大学電気系
-
黒木 雄一郎
長岡技術科学大学工学部
著作論文
- 間欠ガス供給を用いたホットメッシュCVD法によるSi上GaNエピタキシャル成長
- パルスモードホットメッシュCVD法による窒化物半導体のエピタキシャル成長(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-1 第三電極を有するマグネトロンスパッタ法によるAl, F共ドープZnO薄膜の特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-3 トライオードプラズマCVD法によるSiC(110)配向膜の低温成長(C-6. 電子部品・材料, エレクトロニクス2)