永田 一樹 | 長岡技術科学大学
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概要
関連著者
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永田 一樹
長岡技術科学大学
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安井 寛治
長岡技術科学大学
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成田 克
山形大学工学部
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末光 眞希
東北大学電気通信研究所
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遠藤 哲郎
東北大学学際科学国際高等研究センター
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伊藤 隆
東北大学電気通信研究所
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中澤 日出樹
弘前大学大学院理工学研究科
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中澤 日出樹
弘前大学理工学部
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伊藤 隆
東北大学学際科学国際高等研究センター
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末光 眞希
東北大通研
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三浦 仁嗣
長岡技術科学大学
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西山 洋
長岡技術科学大学
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里本 宗一
長岡技術科学大学
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末光 真希
東北大学電気通信研究所
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永田 一樹
長岡技科大工
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三浦 仁嗣
長岡技科大工
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西山 洋
長岡技科大工
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安井 寛治
長岡技科大工
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里本 宗一
長岡技科大工
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中澤 日出樹
弘前大学
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成田 克
山形大学
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里本 宗一
長岡技科大
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西山 洋
長岡技科大
-
安井 寛治
長岡技科大
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齋藤 健次
長岡技術科学大学
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高田 雅介
長岡技術科学大学電気系
-
高田 雅介
長岡技科大
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赤羽 正志
長岡技術科学大学
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齋藤 健
長岡技術科学大学
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片桐 裕則
長岡工業高等専門学校 電気工学科
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片桐 裕則
長岡工業高等専門学校
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黒田 朋義
長岡技術科学大学
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神保 和夫
長岡工業高等専門学校
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田原 将巳
長岡技科大工
-
黒田 朋義
長岡技科大工
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田原 将巳
長岡技術科学大学
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高田 雅介
長岡技術科学大学
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片桐 裕則
長岡工業高専
-
神保 和夫
長岡工業高専
著作論文
- 間欠ガス供給を用いたホットメッシュCVD法によるSi上GaNエピタキシャル成長
- パルスモードホットメッシュCVD法によるGaN成長条件の最適化(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-2 H_2-O_2触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて成長したZnOエピタキシャル薄膜の結晶構造(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-6 H_2-O_2触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて成長したZnOエピタキシャル薄膜の電気特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)