成田 克 | 山形大学
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概要
関連著者
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成田 克
山形大学
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安井 寛治
長岡技術科学大学
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成田 克
山形大学工学部
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赤羽 正志
長岡技術科学大学
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末光 眞希
東北大学電気通信研究所
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中澤 日出樹
弘前大学大学院理工学研究科
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中澤 日出樹
弘前大学理工学部
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中澤 日出樹
弘前大学
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成田 克
長岡技術科学大学
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遠藤 哲郎
東北大学学際科学国際高等研究センター
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伊藤 隆
東北大学電気通信研究所
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伊藤 隆
東北大学学際科学国際高等研究センター
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末光 真希
東北大学電気通信研究所
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末光 眞希
東北大通研
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高田 雅介
長岡技術科学大学電気系
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高田 雅介
長岡技科大
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成田 克
九州工業大学工学部
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末光 眞希
東北大学学際科学国際高等研究センター
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高田 雅介
長岡技術科学大学
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遠藤 哲郎
東北大学電気通信研究所
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加藤 有行
長岡技術科学大学
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栗本 大詩
長岡技術科学大学
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加藤 孝弘
長岡技術科学大学
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江藤 淳平
長岡技術科学大学工学部電気系
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江藤 淳平
長岡技術科学大学電気系
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栗本 大詩
長岡技術科学大学 工学部 電気系
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姉崎 豊
長岡技術科学大学
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深田 祐介
長岡技術科学大学電気系
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森山 学
長岡技術科学大学
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黒木 雄一郎
長岡技術科学大学電気系
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森本 貫太郎
長岡技術科学大学工学部電気系
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原島 正幸
長岡技術科学大学工学部電気系
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黒木 雄一郎
長岡技術科学大学工学部
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安井 寛治
長岡技科大
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齋藤 健次
長岡技術科学大学
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齋藤 健
長岡技術科学大学
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永田 一樹
長岡技術科学大学
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小前 泰彰
長岡技術科学大学
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安部 和貴
長岡技術科学大学電気系
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今野 篤史
東北大学
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大谷 孝史
長岡技術科学大学
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原島 正幸
長岡技術科学大学
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小前 泰彰
長岡技術科学大学電気系
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姉埼 豊
長岡技術科学大学
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佐藤 魁
長岡技術科学大学
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成田 克
山形大学大学院理工学研究科
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廣瀬 文彦
山形大学大学院理工学研究科
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吉越 章隆
日本原子力研究所・関西研究所・放射光科学研究センター
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木村 康男
東北大学電気通信研究所
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庭野 道夫
東北大学電気通信研究所
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寺岡 有殿
日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門
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寺岡 有殿
原研
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庭野 道夫
東北大 通研
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木村 康男
東北大学 電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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伊藤 隆
東北大学際セ
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山本 喜久
スタンフォード大学ギンズトン研究所
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三浦 創史
弘前大学理工学部
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西崎 圭太
弘前大学理工学部
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山本 喜久
東北大学電気通信研究所
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富樫 秀晃
東北大学電気通信研究所
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加藤 篤
東北大学電気通信研究所
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吉越 章隆
(独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門
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加藤 篤
東北大学学際科学国際高等研究センター
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富樫 秀晃
東北大学学際科学国際高等研究センター
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今野 篤史
東北大学学際科学国際高等研究センター
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山本 喜久
東北大学学際科学国際高等研究センター
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成田 克
九州工科大学
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廣瀬 文彦
山形大学
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末光 眞希
東北大学
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吉越 章隆
日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門
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片桐 裕則
長岡工業高等専門学校 電気工学科
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片桐 裕則
長岡工業高等専門学校
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庭野 道夫
東北大学大学院医工学研究科
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神保 和夫
長岡工業高等専門学校
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吉越 章隆
原研 放射光科学研セ
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木下 友太
山形大
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宮 博信
日立国際電気
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平原 和弘
信越化学
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庭野 道夫
東北大学電気通信研究所ナノスピン実験施設
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里本 宗一
長岡技術科学大学
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木村 康男
東北大学電気通信研究所ナノスピン実験施設
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山本 喜久
NTT電気通信研究所
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庭野 道夫
東北大
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須藤 晴紀
長岡技術科学大学
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豊田 英之
長岡技術科学大学工学部電気系
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山本 喜久
国立情報学研究所:スタンフォード大学
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山本 喜久
日本電信電話株式会社 Ntt物性科学基礎研究所:スタンフォード大学 ギンツトン研究所
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山本 喜久
スタンフォード大:nii
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山本 喜久
スタンフォード大学 国際共同研究量子もつれプロジェクト
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山本 喜久
E.l. Ginzton Laboratory Stanford University
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鶴間 隆一
長岡技術科学大学工学部電気系
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鶴間 隆一
長岡技術科学大学電気系
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山本 喜久
国立情報学研究所情報学プリンシプル研究系
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Kimura Yasuo
Department Of Biological And Environmental Chemistry Tottori University
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伊藤 隆
東北大学大学院工学研究科
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里本 宗一
長岡技科大工
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遠藤 哲郎
東北大学
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山本 喜久
国立情報学研究所:スタンフォード大学:東京大学
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浅野 翔
長岡技術科学大学
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寺岡 有殿
日本原子力研究開発機構
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大谷 孝
長岡技術科学大学
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加藤 有行
山形大学工学部
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伊藤 隆
東北大学・学際科学国際高等研究センター
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木下 友太
山形大学大学院理工学研究科
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山本 喜久
国立情報学研究所量子情報国際研究センター:スタンフォード大学ギンツトン研究所
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寺岡 有殿
日本原子力研究所放射光科学研究センター
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寺岡 有殿
日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門
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片桐 裕則
長岡工業高専
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里本 宗一
長岡技科大
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神保 和夫
長岡工業高専
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吉越 章隆
日本原子力研究所
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寺岡 有殿
日本原子力研究所
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末光 真希
東北大学
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豊田 英之
長岡技術科学大学工学部
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木村 康男
東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設
著作論文
- 有機シランを用いたプラズマCVD法によるダイヤモンドライクカーボン薄膜の膜特性評価
- 間欠ガス供給を用いたホットメッシュCVD法によるSi上GaNエピタキシャル成長
- パルスモードホットメッシュCVD法による窒化物半導体のエピタキシャル成長(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-8 触媒反応CVD(Cat-CVD)法によるGaN結晶膜の省資源成長技術(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- ホットメッシュCVD法によるGaN成長 : ルテニウムコーティッドタングステンメッシュの効果(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-9 RuコートWを用いたHot-mesh CVD法によるGaN膜成長(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- Si基板上SiC極薄膜の低温形成とユビキタスデバイスへの応用
- Si(110)とSi(100)表面の初期酸化過程の違い : リアルタイム光電子分光測定から(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- トリメチルアミノシラン・オゾンを用いたシリコン酸化膜の原子層堆積法の素反応解析
- パルスモードホットメッシュCVD法によるGaN成長条件の最適化(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-8 昇温脱離法を用いた3C-SiC成長初期に見られるSi c(4×4)構造の評価(C-6.電子部品・材料)
- 有機ケイ素化合物を用いたSiC成長初期過程の再評価とCVD法への応用(薄膜プロセス・材料,一般)
- 有機ケイ素化合物を用いたSiC成長初期過程の再評価とCVD法への応用
- Hot-Mesh CVD法によるSi熱酸化膜上の(100)配向SiC結晶(電子部品・材料,及び一般)
- 有機ケイ素化合物を用いたSiCヘテロエピタキシャル成長
- C-6-4 Hot-Mesh CVD法を用いたSiC成長におけるメッシュ温度依存性(C-6. 電子部品・材料, エレクトロニクス2)
- トライオードプラズマCVD法によるSiC(110)配向膜の低温成長(薄膜プロセス・材料,一般)
- Hot-Mesh CVD法によるSi基板上への低温SiCエピタキシャル成長(電子部品・材料,及び一般)
- C-6-3 HM-CVD 法を用いた炭化ケイ素膜の作製
- SiC層中に埋め込まれたGe・SiCドットの発光特性
- 有機金属化合物を用いたSiC/Geナノドット積層構造の作製
- C-6-13 ガスソースMBEによって作製されたGe・SiCドットの発光特性(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-11 水索ラジカル照射によるGeナノドットの発光特性への影響(C-6.電子部品・材料)