末光 眞希 | 東北大学学際科学国際高等研究センター

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概要

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関連著者

• 末光 眞希

  東北大学学際科学国際高等研究センター

• 末光 眞希

  東北大学電気通信研究所

• 成田 克

  山形大学工学部

• 遠藤 哲郎

  東北大学電気通信研究所

• 赤羽 正志

  長岡技術科学大学

• 遠藤 哲郎

  東北大学学際科学国際高等研究センター

• 安井 寛治

  長岡技術科学大学

• 成田 克

  山形大学

• 高田 雅介

  長岡技術科学大学電気系

• 高田 雅介

  長岡技科大

• 黒木 雄一郎

  長岡技術科学大学電気系

• 高田 雅介

  長岡技術科学大学

• 黒木 雄一郎

  長岡技術科学大学工学部

• 深田 祐介

  長岡技術科学大学電気系

• 伊藤 隆

  東北大学電気通信研究所

• 中澤 日出樹

  弘前大学大学院理工学研究科

• 中澤 日出樹

  弘前大学理工学部

• 伊藤 隆

  東北大学学際科学国際高等研究センター

• 成田 克

  九州工業大学工学部

• 中澤 日出樹

  弘前大学

• 安部 和貴

  長岡技術科学大学電気系

• 羅 炯竣

  東北大学学際科学国際高等研究センター

• 村田 威史

  東北大学学際科学国際高等研究センター

• 村田 威史

  東北大学学際科学国際高等センター

• 社本 真一

  日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門中性子物質科学研究ユニット

• 吉越 章隆

  日本原子力研究所・関西研究所・放射光科学研究センター

• 寺岡 有殿

  日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門

• 寺岡 有殿

  原研

• 社本 真一

  日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門

• 山本 喜久

  スタンフォード大学ギンズトン研究所

• 朝岡 秀人

  日本原子力研究所東海研究所

• 小前 泰彰

  長岡技術科学大学

• 今野 篤史

  東北大学

• 山本 喜久

  東北大学電気通信研究所

• 富樫 秀晃

  東北大学電気通信研究所

• 加藤 篤

  東北大学電気通信研究所

• 吉越 章隆

  (独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門

• 加藤 篤

  東北大学学際科学国際高等研究センター

• 富樫 秀晃

  東北大学学際科学国際高等研究センター

• 今野 篤史

  東北大学学際科学国際高等研究センター

• 山本 喜久

  東北大学学際科学国際高等研究センター

• 成田 克

  九州工科大学

• 山崎 竜也

  日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門

• 末光 眞希

  東北大通研

• 吉越 章隆

  日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門

• 朝岡 秀人

  日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門

• 吉越 章隆

  原研 放射光科学研セ

• 末光 真希

  東北大学電気通信研究所

• 栗本 大詩

  長岡技術科学大学

• 成田 克

  長岡技術科学大学

• 田村 和之

  長岡技術科学大学

• 高橋 和希

  長岡技術科学大学

• 江藤 淳平

  長岡技術科学大学工学部電気系

• 山本 喜久

  NTT電気通信研究所

• ARNOLD Alguno

  東北大学学際科学国際高等研究センター

• 後藤 成一

  東北大学学際科学国際高等研究センター

• 山本 喜久

  国立情報学研究所:スタンフォード大学

• 山本 喜久

  日本電信電話株式会社 Ntt物性科学基礎研究所:スタンフォード大学 ギンツトン研究所

• 山本 喜久

  スタンフォード大:nii

• 山本 喜久

  スタンフォード大学 国際共同研究量子もつれプロジェクト

• 山本 喜久

  E.l. Ginzton Laboratory Stanford University

• 田村 和之

  長岡技術科学大学 工学部 電気系

• 小前 泰彰

  長岡技術科学大学電気系

• 江藤 淳平

  長岡技術科学大学電気系

• 山本 喜久

  国立情報学研究所情報学プリンシプル研究系

• 山本 喜久

  国立情報学研究所:スタンフォード大学:東京大学

• 社本 真一

  日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門

• 栗本 大詩

  長岡技術科学大学 工学部 電気系

• 寺岡 有殿

  日本原子力研究開発機構

• 山本 喜久

  国立情報学研究所量子情報国際研究センター:スタンフォード大学ギンツトン研究所

• 寺岡 有殿

  日本原子力研究所放射光科学研究センター

• 寺岡 有殿

  日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門

• 吉越 章隆

  日本原子力研究所

• 寺岡 有殿

  日本原子力研究所

• 朝岡 秀人

  日本原子力研

• Alguno ARNOLD

  東北大学学際科学国際高等研究センター

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著作論文

• C-6-8 触媒反応CVD(Cat-CVD)法によるGaN結晶膜の省資源成長技術(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
• ホットメッシュCVD法によるGaN成長 : ルテニウムコーティッドタングステンメッシュの効果(薄膜プロセス・材料,一般)
• C-6-9 RuコートWを用いたHot-mesh CVD法によるGaN膜成長(C-6.電子部品・材料,一般講演)
• MCML (MOS Current Mode Logic)インバーター回路における許容しきい値電圧ばらつきのガイドライン,AWAD2006)
• MCML (MOS Current Mode Logic)インバーター回路における許容しきい値電圧ばらつきのガイドライン
• Si(110)とSi(100)表面の初期酸化過程の違い : リアルタイム光電子分光測定から(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• C-6-7 Hot-mesh CVD法を用いたSiC/Si(111)上へのGaN成長(C-6.電子部品・材料,一般講演)
• Hot-Mesh CVD法によるSi熱酸化膜上の(100)配向SiC結晶(電子部品・材料,及び一般)
• Si(001)上ゲルマン吸着に伴う水素移動とGe/Si原子交換の観察
• Ge/Si(111)-7×7ヘテロエピタキシャル成長におけるストレスその場測定
• Siエピタキシーの表面化学と成長モデリング
• Si(001)上シラン/ゲルマン吸着と水素脱離過程の多重内部反射赤外分光観察

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