Si(001)上シラン/ゲルマン吸着と水素脱離過程の多重内部反射赤外分光観察
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 日本表面科学会の論文
- 2004-08-10
著者
関連論文
- C-6-8 触媒反応CVD(Cat-CVD)法によるGaN結晶膜の省資源成長技術(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- ホットメッシュCVD法によるGaN成長 : ルテニウムコーティッドタングステンメッシュの効果(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-9 RuコートWを用いたHot-mesh CVD法によるGaN膜成長(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- MCML (MOS Current Mode Logic)インバーター回路における許容しきい値電圧ばらつきのガイドライン,AWAD2006)
- MCML (MOS Current Mode Logic)インバーター回路における許容しきい値電圧ばらつきのガイドライン
- Si(110)とSi(100)表面の初期酸化過程の違い : リアルタイム光電子分光測定から(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- C-6-7 Hot-mesh CVD法を用いたSiC/Si(111)上へのGaN成長(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- Hot-Mesh CVD法によるSi熱酸化膜上の(100)配向SiC結晶(電子部品・材料,及び一般)
- Si(001)上ゲルマン吸着に伴う水素移動とGe/Si原子交換の観察
- Ge/Si(111)-7×7ヘテロエピタキシャル成長におけるストレスその場測定
- Siエピタキシーの表面化学と成長モデリング
- Si(001)上シラン/ゲルマン吸着と水素脱離過程の多重内部反射赤外分光観察