Hot-Mesh CVD法によるSi熱酸化膜上の(100)配向SiC結晶(電子部品・材料,及び一般)
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概要
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加熱された高融点金属(タングステン)により分解された高密度水素ラジカルを積極的にCVDプロセスに応用したHot-Mesh (HM) CVD法を用いて、Si熱酸化膜上にモノメチルシラン(MMS)を原料に炭化ケイ素(SiC)膜の堆積を試みた。フーリエ変換赤外分光法(FT-IR)の結果から、タングステンメッシュ温度を1600℃に固定して成長温度650-950℃の範囲で膜堆積を行ったところ、全ての成長温度において795cm^<-1>にローレンツ型のSi-CTO フォノンの吸収が見られた。X線回折法(XRD)で結晶性を評価したところ、850-950℃では3C-SiC(111)、(220)、(200)回折ピークが、750-800℃では3C-SiC(200)回折ピークのみが検出され、700℃以下では結晶性は見られなかった。また、基板温度を750℃に固定してメッシュ温度を変化させた場合、(200)回折ピーク強度は1600℃で最大となった。このことから、タングステンメッシュ・基板温度等の条件を最適化すれば、HM-CVD法により簡便にSiC on Insulator (SiCOI)構造の作製が可能であることが見出された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-07-30
著者
-
成田 克
山形大学工学部
-
末光 眞希
東北大学電気通信研究所
-
赤羽 正志
長岡技術科学大学
-
安井 寛治
長岡技術科学大学
-
末光 眞希
東北大学学際科学国際高等研究センター
-
栗本 大詩
長岡技術科学大学
-
成田 克
長岡技術科学大学
-
江藤 淳平
長岡技術科学大学工学部電気系
-
江藤 淳平
長岡技術科学大学電気系
-
栗本 大詩
長岡技術科学大学 工学部 電気系
-
成田 克
山形大学
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