Si(100):P表面へのSiH_4、Si_2H_6吸着過程
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概要
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PH_3その場ドーピング機構の解明を念頭に、Si(100):P表面へのSiH_4およびSi_2H_6の室温解離吸着過程とこの表面からの水素脱酸過程を昇温脱離法(Temperature Programmed Desorption : TPD)を用いて調べた。その結果、SiH_4およびSi_2H_6はP以外のSi部分に最終的に解離吸着するが、吸着初期にはP上への物理吸着を介した吸着経路も存在することが分かった。また、表面のPによって水素脱離反応の高次化が起き、脱離が抑制される。SiH_4とSi_2H_6とでは、吸着確率の違いはあるものの、Pからの影響の受け方においては大きな違いはない。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-25
著者
-
末光 眞希
東北大学電気通信研究所
-
中澤 日出樹
弘前大学大学院理工学研究科
-
中澤 日出樹
弘前大学理工学部
-
築舘 厳和
株式会社 富士通研究所
-
築舘 厳和
東北大学電気通信研究所
-
中澤 日出樹
東北大学電気通信研究所
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