ガスソースMBEによるSi上の高密度Geナノドットの作製と発光特性(薄膜プロセス・材料,一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
パルス制御核発生法を用いたガスソースMBE法によりSi(011)-2°off基板上にGeナノドットを形成し,その上からワイドギャップのSiCキャップ層を堆積し,SiC/Ge・SiCドット/Si_<1-x>C_x構造を作製した.その後水素ラジカルを照射することで界面に存在する未結合手を終端し,発光効率が向上しないか試みた.しかしフォトルミネッセンスの測定をした結果,水素がより多く取り込まれると考えられる低温照射されたサンプルにおいて発光強度が弱くなった.
- 2012-10-19
著者
-
成田 克
山形大学工学部
-
末光 眞希
東北大学電気通信研究所
-
中澤 日出樹
弘前大学大学院理工学研究科
-
安井 寛治
長岡技術科学大学
-
中澤 日出樹
弘前大学理工学部
-
加藤 有行
長岡技術科学大学
-
末光 真希
東北大学電気通信研究所
-
加藤 孝弘
長岡技術科学大学
-
豊田 英之
長岡技術科学大学工学部電気系
-
中澤 日出樹
弘前大学
-
姉崎 豊
長岡技術科学大学
-
佐藤 魁
長岡技術科学大学
-
安井 寛治
長岡技科大
-
豊田 英之
長岡技術科学大学工学部
関連論文
- 昇温脱離法と等温脱離法を用いたSi(100)表面からの水素脱離バリヤー評価
- Si上に形成したGe・SiCドットに対する半球状モデルを用いた構造評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- 光学励起グラフェンによるコヒーレントテラヘルツ放射の観測(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 赤外干渉法によるSi基板上3C-SiC薄膜形成のリアルタイムモニタリング(TFT(有機,酸化物),一般)
- パルス電界常圧プラズマCVD法を用いたプラスチック基板上Si成長(TFT(有機,酸化物),一般)
- 原子状水素照射によるダイヤモンドライクカーボン膜の化学結合状態の変化
- 4価元素をドープした石英薄膜における可視光スペクトル
- 有機シランを用いたプラズマCVD法によるダイヤモンドライクカーボン薄膜の膜特性評価
- シリコン基板上へのエピタキシャルグラフェン成長(グラフェンの成長と応用)
- TDSによる電子ビーム再溶融処理材のガス放出特性評価
- 間欠ガス供給を用いたホットメッシュCVD法によるSi上GaNエピタキシャル成長
- パルスモードホットメッシュCVD法による窒化物半導体のエピタキシャル成長(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-8 触媒反応CVD(Cat-CVD)法によるGaN結晶膜の省資源成長技術(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- ホットメッシュCVD法によるGaN成長 : ルテニウムコーティッドタングステンメッシュの効果(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-9 RuコートWを用いたHot-mesh CVD法によるGaN膜成長(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- Si基板上SiC極薄膜の低温形成とユビキタスデバイスへの応用
- MCML (MOS Current Mode Logic)インバーター回路における許容しきい値電圧ばらつきのガイドライン,AWAD2006)
- MCML (MOS Current Mode Logic)インバーター回路における許容しきい値電圧ばらつきのガイドライン
- Si(110)面上熱酸化膜形成時におけるSiサブオキサイド時間発展のXPSリアルタイム測定(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Si(110)とSi(100)表面の初期酸化過程の違い : リアルタイム光電子分光測定から(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Si基板上への高移動度極薄チャネル層形成のためのグラフェン・オン・シリコン(GOS)技術(TFT(有機,酸化物),一般)
- Si基板上に形成したエピタキシャルグラフェンとその電子デバイス応用(機能ナノデバイス及び関連技術)
- ワイドギャップ半導体でキャッピングされたGeナノドットの光学特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- 太陽電池の夢を追って
- タングステンメッシュにより生成した高密度水素ラジカル アニールによるZnO:Al膜の低抵抗化(薄膜プロセス・材料,一般)
- 四角い断面をもった金属酸化物ナノチューブ
- 二酸化モリブデン(MoO2)ナノチューブ研究の現状
- 不活性ガスカ-テン燃焼炎法によるダイヤモンド薄膜形成中の燃焼炎電流2
- 不活性ガスカ-テン燃焼炎法によるダイヤモンド薄膜形成中の燃焼炎電流
- パルス電界常圧プラズマ化学気相成長法によるSi薄膜堆積
- Si基板上に形成したエピタキシャルグラフェンとその電子デバイス応用(機能ナノデバイス及び関連技術)
- グラフェン形成のためのSi(110)基板上3C-SiC(111)成長
- トリメチルアミノシラン・オゾンを用いたシリコン酸化膜の原子層堆積法の素反応解析
- レーザーアブレーション法によるSi基板上AlN薄膜の形成
- 触媒反応により生成した水分子ビームを用いたZnO結晶薄膜のエピタキシャル成長
- パルスモードホットメッシュCVD法によるGaN成長条件の最適化(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-2 H_2-O_2触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて成長したZnOエピタキシャル薄膜の結晶構造(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-1 H_2-O_2触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いたZnOエピタキシャル薄膜の成長技術(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- 第三電極を有するマグネトロンスパッタ法によるAlドープZnO膜の低抵抗化(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-8 昇温脱離法を用いた3C-SiC成長初期に見られるSi c(4×4)構造の評価(C-6.電子部品・材料)
- 有機ケイ素化合物を用いたSiC成長初期過程の再評価とCVD法への応用(薄膜プロセス・材料,一般)
- 有機ケイ素化合物を用いたSiC成長初期過程の再評価とCVD法への応用
- C-6-4 MMSi を用いた 3C-SiC 成長初期における表面反応過程
- C-6-3 MMSi による Si(001) 上への 3C-SiC 成長初期段階の STM 観察
- 変調加熱昇温脱離法によるガス放出特性評価
- C-6-7 Hot-mesh CVD法を用いたSiC/Si(111)上へのGaN成長(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- Hot-Mesh CVD法によるSi熱酸化膜上の(100)配向SiC結晶(電子部品・材料,及び一般)
- 有機シランガスを用いたSi 基板上シングルドメイン SiC 薄膜の形成メカニズム
- 高周波マグネトロンスパッタリング法により作製したダイヤモンドライクカーボン(DLC)膜の構造と熱的安定性
- アルミニウムの極薄酸化膜 : アルコール切削法による超高真空対応表面の作成
- シリコン表面熱酸化初期過程の反応速度論
- その場PドープされたSiガスソースMBEの成長・ドーピング機構
- 26pL-2 高輝度放射光によるリアルタイム光電子分光 : 半導体表面反応のその場観察
- Si(100):P表面へのSiH_4、Si_2H_6吸着過程
- 水素を通して見たSiガスソースMBEの表面化学
- アルミニウム系真空容器技術の現状(真空技術)
- シランを用いたシリコンガスソースMBEの成長機構 : エピタキシーI
- 4p-E4-2 NMRスピンエコーによる半導体結晶中四極子相互作用の検出
- アルミニウム合金製分子線エピタキシ-容器の真空性能
- 分子線エピタキシ-用アルミニウム合金超高真空チャンバ-1-
- クロム添加半絶縁性砒化ガリウムのEPRによる評価
- Si(111), (110), (100)基板上3C-SiC薄膜の熱改質によるグラフェン・オン・シリコン形成
- 有機ケイ素化合物を用いたSiCヘテロエピタキシャル成長
- C-6-4 Hot-Mesh CVD法を用いたSiC成長におけるメッシュ温度依存性(C-6. 電子部品・材料, エレクトロニクス2)
- トライオードプラズマCVD法によるSiC(110)配向膜の低温成長(薄膜プロセス・材料,一般)
- Hot-Mesh CVD法によるSi基板上への低温SiCエピタキシャル成長(電子部品・材料,及び一般)
- C-6-3 HM-CVD 法を用いた炭化ケイ素膜の作製
- C-6-2 DMS を用いた減圧 CVD 法による SiC on Si エピタキシャル成長
- グラフェンをシリコンの上に
- C-10-2 Si(001)基板上におけるグラフェンFET(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- アルミニウム合金製分子線エピタキシー容器の真空性能
- MMSi,DMSiにより形成されるSi c(4×4)構造の評価
- C-6-2 3C-SiC成長初期段階におけるSi(001)上でのMMSiの表面反応過程の観察
- C-6-2 有機ケイ素化合物を用いた Si(001) 上における 3C-SiC の二段階成長
- モノメチルシランを用いた3C-Sic成長初期過程
- ジメチルシランを用いた3C-SiC成長初期過程のRHEED観察
- C-6-13 有機ケイ素化合物と水素を用いたβ-SiC成長初期過程
- グラフェンをシリコンの上に(レーダー)
- MMSiを用いたトライオードプラズマCVD法による3C-SiCの低温成長
- プラズマCVD法によるSiおよびN同時添加DLC膜特性に対する水素の影響
- レーザーアブレーション法によるAIN成長のSi基板面方位依存性
- レーザーアブレーション法によるDLC膜特性に及ぼすB、N添加の影響
- SiC層中に埋め込まれたGe・SiCドットの発光特性
- ECRMOCVD法によるAlNエピタキシャル成長
- 基板相互作用によるグラフェンの電子状態制御 (電子デバイス)
- レーザーアブレーション法によるDLC膜特性に及ぼすB、N添加の影響
- C-10-15 ダイヤモンドライクカーボン薄膜をトップゲート絶縁膜としたグラフェンFET(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- ジメチルシランを用いた Si 表面での SiC 成長初期過程
- 有機金属化合物を用いたSiC/Geナノドット積層構造の作製
- 基板相互作用によるグラフェンの電子状態制御(TFT(有機,酸化物),一般)
- Si(110)面上熱酸化膜形成時におけるSiサブオキサイド時間発展のXPSリアルタイム測定
- C-6-13 ガスソースMBEによって作製されたGe・SiCドットの発光特性(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- Si基板上へのAlN層の形成およびSi/AlN上への3C-SiC成長(薄膜プロセス・材料,一般)
- ガスソースMBEによるSi上の高密度Geナノドットの作製と発光特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- ガスソースMBE法による高密度Geナノドット/SiC積層構造の作製とその発光特性
- C-6-11 水索ラジカル照射によるGeナノドットの発光特性への影響(C-6.電子部品・材料)
- Ar雰囲気下高温アニールによる6H-SiC(0001)面上高品質エピタキシャルグラフェン形成(有機デバイス・酸化物デバイス・一般)
- CI-1-3 グラフェンテラヘルツレーザーとフォトニックデバイス応用の可能性(CI-1.光アクティブデバイスの新たな展開,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- ガスソースMBE法による高密度Geナノドット/SiC積層構造の作製とその発光特性
- 基板相互作用によるグラフェンの電子状態制御