Hot-Mesh CVD法によるSi基板上への低温SiCエピタキシャル成長(電子部品・材料,及び一般)
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概要
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高温に加熱したメッシュ状タングステンの触媒分解反応によって生成した高密度水素ラジカルの反応性を利用したホットメッシュ(HM-)CVD法を用い,モノメチルシランを原料ガスとして,Si基板上への3C-SiC膜の低温ヘテロエピタキシャル成長を試みた.その結果,HM-CVD法によって減圧CVD法では結晶成長しない温度(750℃)での低温ヘテロエピタキシャル成長に成功した.また,X線回折測定により基板面内においてエピタキシャル関係を満たしていることが分かった.さらに,このような低温エピタキシャル成長により,炭化層なしでのエピタキシャル成長においてSiC膜-Si基板界面に発生するボイドの形成が抑制された.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-07-30
著者
-
成田 克
山形大学工学部
-
赤羽 正志
長岡技術科学大学
-
安井 寛治
長岡技術科学大学
-
栗本 大詩
長岡技術科学大学
-
成田 克
長岡技術科学大学
-
江藤 淳平
長岡技術科学大学工学部電気系
-
江藤 淳平
長岡技術科学大学電気系
-
栗本 大詩
長岡技術科学大学 工学部 電気系
-
成田 克
山形大学
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