トライオードプラズマCVD法によるSiC(110)配向膜の低温成長(薄膜プロセス・材料,一般)
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概要
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プラズマの陰極-陽極間にメッシュ状第三電極を挿入したトライオードプラズマCVD法により、モノメチルシラン(MMS)とジメチルシラン(DMS)を原料にSi基板、Si熱酸化膜上への炭化ケイ素(SiC)の低温成長を試みた。成長温度600[℃]においてXRDスペクトルよりMMSを原料に用いることで、(110)配向優位な結晶膜の成長が見られた。さらに、ステンレス基板にスパッタコートされたSiO_2膜上へのSiCの低温成長を試みたところ、成長温度550[℃]で(110)配向膜の成長を確認した。van der Pauw法を用いて(110)配向SiC膜の電気的特性の評価も行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-11-04
著者
-
成田 克
山形大学工学部
-
赤羽 正志
長岡技術科学大学
-
安井 寛治
長岡技術科学大学
-
成田 克
長岡技術科学大学
-
森本 貫太郎
長岡技術科学大学工学部電気系
-
鶴間 隆一
長岡技術科学大学工学部電気系
-
鶴間 隆一
長岡技術科学大学電気系
-
成田 克
山形大学
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