ECRプラズマ励起HRCVD法による微結晶SiC膜の構造
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概要
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ECR条件下でマイクロ波プラズマにより励起した水素ラジカルを用いテトラメチルシランとの反応により微結晶SiC膜を合成すると共に、ECR条件近傍での放電特性について測定した。反応ガス圧1mTorr、空芯磁場コイル中心部での磁場強度900〜950Gaussにおいて導波管内でECR条件となり、マイクロ波の吸収効率の増大や電子温度の低下が見られた。得られた微結晶膜は、Si-C結合が中心の結晶相とC-C、C-H結合が中心のアモルファス相から成ると思われるが、ESR測定によるとダングリングボンドは、アモルファス相に集中していることが分かった。
- 1994-09-12
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