ジメチルシランを用いた3C-SiC成長初期過程のRHEED観察
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概要
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ジメチルシラン(DMSi)を原料に、Si(001)の清浄表面である(2×1)上での3C-SiCの成長初期過程を反射高速電子線回折(RHEED)を用いてその場観察を行った。RHEEDパターンとその回折スポットの発光強度プロファイルから、SiCはインキュベーションタイム(IT)を有して成長すること、そしてそのIT中にSi c(4×4)構造が現れることを見い出した。これらの特徴は、炭化水素ガスを用いた場合と類似していた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-07-27
著者
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