トライオードプラズマCVD法による3C-SiCエピ成長膜特性の高周波電力依存性
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概要
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原料にジメチルシランを用いトライオードプラズマCVD法によりsi(100)基板上への3c-sicの低温エピタキシャル成長を行った。得られたエピタキシャル膜の結晶性や積層欠陥の生成等の特性がプラズマを励起している高周波電力によってどのような変化を示すか調べたところ、低温成長時には60W前後で最適値が見られる一方、1100℃の高温成長時には高周波電力の印加によって特性が劣化することが分かった。これらの特性について水素ラジカル、荷電粒子の入射等の立場から考察を行った。
- 2002-08-02
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