グリッドバイアス制御ECRプラズマの特性評価と立方晶GaNのエピタキシャル成長
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概要
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グリッドバイアス制御ECRプラズマMOCVD装置のECRプラズマ放電部、膜生成部において、グリッドバイアスで制御されるプラズマパラメータをラングミュアプローブ、ファラデーカップにより評価し、GaN薄膜成長との関係について調べた。その結果、小さな負のグリッドバイアス (-35V) 下で、プラズマ放電部は5eV以上の高い電子温度になると同時に、基板表面近傍は低電子温度成分が0.8eVと低温になり、プラズマ空間電位は1.3Vと最低となった。この空間電位が最低となるグリッドバイアス下で、さらに正の基板バイアス (+10V)を印加したときに、立方晶GaNの結晶性が最も良好になることが分かった。
- 1997-10-31
著者
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