栗本 大詩 | 長岡技術科学大学 工学部 電気系
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
赤羽 正志
長岡技術科学大学
-
安井 寛治
長岡技術科学大学
-
栗本 大詩
長岡技術科学大学
-
栗本 大詩
長岡技術科学大学 工学部 電気系
-
成田 克
山形大学工学部
-
成田 克
長岡技術科学大学
-
成田 克
山形大学
-
江藤 淳平
長岡技術科学大学工学部電気系
-
江藤 淳平
長岡技術科学大学電気系
-
高田 雅介
長岡技術科学大学電気系
-
高田 雅介
長岡技科大
-
黒木 雄一郎
長岡技術科学大学電気系
-
三浦 仁嗣
長岡技術科学大学
-
高田 雅介
長岡技術科学大学
-
黒木 雄一郎
長岡技術科学大学工学部
-
末光 眞希
東北大学電気通信研究所
-
森山 学
長岡技術科学大学
-
末光 眞希
東北大学学際科学国際高等研究センター
-
原島 正幸
長岡技術科学大学
-
原島 正幸
長岡技術科学大学工学部電気系
著作論文
- C-6-8 昇温脱離法を用いた3C-SiC成長初期に見られるSi c(4×4)構造の評価(C-6.電子部品・材料)
- Hot-Mesh CVD法によるSi熱酸化膜上の(100)配向SiC結晶(電子部品・材料,及び一般)
- Hot-Mesh CVD法を用いたSOI基板上への3C-SiC低温エピタキシャル成長
- CS-6-5 ホットメッシュCVD法によるSiC結晶膜の低温成長(CS-6.薄膜の高機能発現をともなう低温成膜技術の最前線,シンポジウム)
- C-6-4 Hot-Mesh CVD法を用いたSiC成長におけるメッシュ温度依存性(C-6. 電子部品・材料, エレクトロニクス2)
- Hot-Mesh CVD法によるSi基板上への低温SiCエピタキシャル成長(電子部品・材料,及び一般)