加藤 孝弘 | 長岡技術科学大学
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
加藤 孝弘
長岡技術科学大学
-
安井 寛治
長岡技術科学大学
-
安井 寛治
長岡技科大
-
山口 直也
長岡技術科学大学
-
里本 宗一
長岡技術科学大学
-
佐藤 魁
長岡技術科学大学
-
小柳 貴寛
長岡技術科学大学
-
片桐 裕則
長岡工業高専
-
神保 和夫
長岡工業高専
-
里本 宗一
長岡技科大工
-
永冨 瑛智
長岡技術科学大学
-
里本 宗一
長岡技科大
-
中澤 日出樹
弘前大学大学院理工学研究科
-
加藤 有行
長岡技術科学大学
-
濱崎 勝義
長岡技術科学大学工学部電気系
-
濱崎 勝義
長岡技術科学大学
-
姉崎 豊
長岡技術科学大学
-
久保 衆伍
島根大総理工
-
加藤 孝弘
島根大学総合理工
-
久保 衆伍
島根大総合理工
-
中澤 日出樹
弘前大学理工学部
-
加藤 孝弘
長岡技術科学大学工学部電気系
-
中澤 日出樹
弘前大学
-
梅本 宏信
静岡大学
-
末光 真希
東北大学電気通信研究所
-
末松 久幸
長岡技術科学大学
-
玉山 泰宏
長岡技術科学大学
-
成田 克
山形大学工学部
-
末光 眞希
東北大学電気通信研究所
-
矢田 真治
島根大学総合理工
-
久保 衆伍
島根大学総合理工
-
神保 和夫
長岡工業高等専門学校
-
末松 久幸
長岡技術科学大学工学部電気系
-
吉田 隆
長岡技術科学大学工学部電気系
-
富永 隼賢
長岡技術科学大学工学部電気系
-
矢田 真治
島根三洋工業(株)
-
矢田 真治
島根大学総合理工学部
-
富永 隼賢
長岡技術科学大学
-
富永 隼賢
長岡技術科学大学 工学部 電気系
-
成田 克
山形大学
-
佐藤 魁
長岡技術科学大学工学部
-
竹澤 和樹
長岡技術科学大学
-
大橋 優樹
長岡技術科学大学
-
川上 彰
情報通信研究機構
-
山田 裕
新潟大理
-
山田 容士
超電導工研
-
山中 一輝
島根大学総合理工
-
山田 容士
島根大学
-
山田 容士
超電導工学研究所
-
山中 一輝
島根大学総合理工学部
-
大石 耕一郎
長岡工業高等専門学校
-
島影 尚
独立行政法人情報通信研究機構
-
三浦 仁嗣
長岡技術科学大学
-
田原 将巳
長岡技科大工
-
田原 将巳
長岡技術科学大学
-
小瀧 侑央
長岡技術科学大学工学部電気系
-
中村 友紀
長岡技術科学大学
-
永富 瑛智
長岡技術科学大学
-
西方 翼
長岡技術科学大学
-
山田 容士
島根大学総合理工学部
-
山田 裕
新潟大学理
-
片桐 裕則
長岡工業高等専門学校
-
大谷 孝史
長岡技術科学大学
-
三輪 淳
長岡技術科学大学工学部電気系
-
豊田 英之
長岡技術科学大学工学部電気系
-
名和 海明
長岡技術科学大学工学部電気系
-
染谷 和樹
長岡技術科学大学 工学部 電気系
-
毛利 千里
長岡技術科学大学 工学部 電気系
-
加藤 孝弘
島根大学大学院総合理工学研究科博士後期課程(マテリアル創成工学専攻)
-
松下 明行
(独)物質・材料研究機構
-
久保 衆伍
島根大学大学院 総合理工学研究科
-
染矢 和樹
長岡技術科学大学
-
姉埼 豊
長岡技術科学大学
-
名和 海明
長岡技術科学大学 工学部 電気系
-
石田 弘樹
富山高等専門学校
-
西方 翼
長岡技術科学大学工学部電気系
-
豊田 英之
長岡技術科学大学工学部
-
小瀧 侑央
長岡技術科学大学
-
木村 滋
JASRI
-
新原 晧一
長岡技術科学大学
-
河合 晃
長岡技術科学大学工学部電気系
-
高田 昌樹
高輝度光科学研究センター
-
木村 滋
高輝度光科学研究セ
-
木村 滋
(財)高輝度光科学研究センター 利用研究促進部門
-
松下 明行
物材機構
-
松下 明行
物質・材料研究機構
-
山田 裕
島根大学総合理工
-
中山 忠親
長岡技術科学大学
-
坂田 修身
JASRI
-
末松 久幸
長岡技術科学大学極限エネルギー密度工学研究センター
-
坂田 修身
Jst-crest:高輝度光科学研
-
坂田 修身
高輝度光科学研究センター
-
坂田 修身
Spring-8 Jasri
-
坂田 修身
財団法人 高輝度光科学研究センター
-
末光 眞希
東北大通研
-
木村 滋
マイクロエレ研
-
山田 容士
島根大総合理工
-
岡本 淳
島根大学
-
Kawai A
Mitsubishi Electric Corp. Hyogo
-
Kawai A
Okayama Univ. Graduate School Of Medicine And Dentistry Okayama
-
石田 弘樹
長岡技術科学大学工学部電気系
-
石黒 孝
東京理科大学基礎工学部材料工学科
-
河合 晃
長岡技科大・工
-
坂田 修身
財団法人 高輝度光科学研究センター 利用研究促進部門
-
坂田 修身
高輝度光科学研究センター放射光研究所利用促進部門
-
須藤 晴紀
長岡技術科学大学
-
川上 彰
独立行政法人通信総合研究所関西先端研究センター
-
岡上 久美
長岡技術科学大学 工学部 電気系
-
鈴木 光夫
長岡技術科学大学
-
加藤 孝弘
島根大総合理工
-
矢田 真治
島根大総合理工
-
山中 一輝
島根大総合理工
-
入江 勇太
長岡技術科学大学 工学部 電気系
-
後藤 領介
島根大学
-
上灘 真史
島根大学
-
安達 悠一
島根大学
-
安達 悠一
島根大学大学院総合理工学研究科博士前期課程(物質科学専攻)
-
芹田 大輔
島根大学大学院 総合理工学研究科
-
山田 裕
島根大学大学院 総合理工学研究科
-
木村 滋
Nec基礎研究所
-
木村 滋
(財)高輝度光科学研究センター ナノテクノロジー総合支援プロジェクト推進室
-
小黒 恭平
長岡技術科学大学
-
岡上 久美
長岡技術科学大学
-
浅野 翔
長岡技術科学大学
-
大谷 孝
長岡技術科学大学
-
加藤 有行
山形大学工学部
-
須永 悟
長岡技術科学大学工学部電気系
-
浅野 武史
長岡技術科学大学工学部電気系
-
河合 晃
長岡技術科学大学工学部
-
安井 寛治
長岡技術科学大学工学部
-
鈴木 常生
長岡技術科学大学
-
竹内 智彦
長岡技術科学大学
-
末光 真希
東北大学
著作論文
- 低温積層蒸着法により作製した超伝導MgB_2薄膜の特性
- 希塩酸処理プロセスを用いたBi系SQUIDの作製法(ジョセフソン接合・材料,一般)
- MgB_2薄膜の成長と超伝導特性に対するバッファー層効果
- Bi系高温超伝導デバイスの作製とその特性評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- 希塩酸処理プロセスによるBi-2212スタックの作製と特性評価
- 低基板温度成長MgB_2薄膜の臨界電流密度向上に関する検討
- プラスチックフィルム上への高品質超伝導MgB_2薄膜の作製
- 低基板温度成長MgB_2薄膜の特性
- 磁性超伝導体RuSr_2GaCu_2O_8薄膜の作製
- Bi-2212固有ジョセフソン接合の温度特性の解析(薄膜プロセス・材料,一般)
- 自己平たん化法によるBi_2Sr_2CaCu_2O_xスタックの作製及び直流ジョセフソン電流の温度特性(超伝導エレクトロニクス)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて成長したZnO結晶薄膜の電気特性(材料デバイスサマーミーティング)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて成長したZnO結晶薄膜の電気特性(材料デバイスサマーミーティング)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて成長したZnO結晶薄膜の電気特性(材料デバイスサマーミーティング)
- SiC層中に埋め込まれたGe・SiCドットの発光特性
- Bi_2Sr_2CaCu_2O_xスタックからのテラヘルツ波検出法に関する研究(薄膜プロセス・材料,一般)
- 希塩酸を用いた両面加工法によるBi_2Sr_2CaCu_2O_結晶内部への固有 Josephson 接合スタック作製プロセス
- 有機金属化合物を用いたSiC/Geナノドット積層構造の作製
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて成長したZnO/a-Al_2O_3膜の電気伝導特性 : 二層モデルによる解析(酸化物,酸化物エレクトロニクス,一般)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて成長したZnO/a-Al_2O_3膜の電気伝導特性 : 二層モデルによる解析(酸化物,酸化物エレクトロニクス,一般)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて成長したZnO/a-Al_2O_3膜の電気伝導特性 : 二層モデルによる解析(酸化物,酸化物エレクトロニクス,一般)
- C-6-11 触媒反応を用いて生成した高エネルギーH_2Oを用いてサファイア基板上へ堆積したZnOエピタキシャル膜の電気特性(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 : スパッタ法によるバッファー層挿入効果(酸化物,酸化物エレクトロニクス,一般)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 : スパッタ法によるバッファー層挿入効果(酸化物,酸化物エレクトロニクス,一般)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 : スパッタ法によるバッファー層挿入効果(酸化物,酸化物エレクトロニクス,一般)
- C-6-13 ガスソースMBEによって作製されたGe・SiCドットの発光特性(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- ガスソースMBEによるSi上の高密度Geナノドットの作製と発光特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- パルス電流法によるBi-2212接合スタックの接合数評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- H_2-O_2触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてサファイア基板上に堆積したZnO薄膜の電気伝導特性の解析(薄膜プロセス・材料,一般)
- ガスソースMBE法による高密度Geナノドット/SiC積層構造の作製とその発光特性
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜へのCVD低温バッファー層挿入効果(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-11 水索ラジカル照射によるGeナノドットの発光特性への影響(C-6.電子部品・材料)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いたZnO膜の成長 : ガラス基板上堆積膜の特性改善の試み(材料デバイスサマーミーティング)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いたZnO膜の成長 : ガラス基板上堆積膜の特性改善の試み(材料デバイスサマーミーティング)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いたZnO膜の成長 : ガラス基板上堆積膜の特性改善の試み(材料デバイスサマーミーティング)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて堆積したZnO膜へのN_2O添加効果(材料デバイスサマーミーティング)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて堆積したZnO膜へのN_2O添加効果(材料デバイスサマーミーティング)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて堆積したZnO膜へのN_2O添加効果(材料デバイスサマーミーティング)
- 自己発熱がBi-2212固有ジョセフソン接合の発振特性に及ぼす影響(簿膜プロセス・材料,一般)
- Bi-2212固有接合から放射される電磁波の接合サイズ依存性(超伝導センシング基盤技術及びその応用,一般)
- C-6-5 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてサファイア基板上に堆積したZnO膜へのN_2O添加効果(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 : スパッタ法によるバッファー層挿入効果
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて成長したZnO/a-Al_2O_3膜の電気伝導特性 : 二層モデルによる解析
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 : スパッタ法によるバッファー層挿入効果
- ガスソースMBE法による高密度Geナノドット/SiC積層構造の作製とその発光特性
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて成長したZnO/a-Al_2O_3膜の電気伝導特性 : 二層モデルによる解析