低基板温度成長MgB_2薄膜の臨界電流密度向上に関する検討
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概要
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- 2006-11-15
著者
-
山田 容士
島根大学総合理工学部
-
久保 衆伍
島根大総理工
-
山田 容士
超電導工研
-
加藤 孝弘
島根大学総合理工
-
久保 衆伍
島根大学総合理工
-
山田 容士
島根大学
-
山田 容士
超電導工学研究所
-
久保 衆伍
島根大総合理工
-
岡本 淳
島根大学
-
加藤 孝弘
長岡技術科学大学
-
後藤 領介
島根大学
-
上灘 真史
島根大学
-
久保 衆伍
島根大学大学院 総合理工学研究科
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