石綿 延行 | 日本電気株式会社
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概要
関連著者
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石綿 延行
日本電気株式会社
-
深見 俊輔
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
小野 輝男
京大化研
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千葉 大地
京大化研
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深見 俊輔
NECA:東北大
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石綿 延行
Nec
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深見 俊輔
Nec
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石綿 延行
Necデバプラ研
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仲谷 栄伸
電通大情報
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石綿 延行
日本電気株式会社 機能デバイス研究所
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小野 輝男
京都大学化学研究所
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小山 知弘
京大化研
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千葉 大地
科学技術振興機構erato
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石綿 延行
日本電気株式会社 グリーンイノベーション研究所
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鈴木 哲広
NECデバイスプラットフォーム研究所
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上田 浩平
京大化研
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大嶋 則和
Necデバプラ研
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平松 亮
京大化研
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小山 知弘
京都大学化学研究所
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大嶋 則和
NECデバイスプラットフォーム研究所
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石綿 延行
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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大嶋 則和
NEC機能エレクトロニクス研究所
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大嶋 則和
Nec
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谷川 博信
日本電気 グリーンイノベーション研究所
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鈴木 哲広
Nec
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島村 一利
京大化研
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近藤 浩太
京都大学化学研究所
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柿堺 悠
慶大理工
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島村 一利
東大化研
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河口 真志
京大化研
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柿堺 悠
京大化研
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山田 貴大
京大化研
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近藤 浩太
京大化研
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谷川 博信
京大化研
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谷川 博信
NECデバプラ研
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小野 輝男
慶大理工
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谷川 博信
NEC
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小野 輝男
大阪大院基礎工
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小林 研介
京大化研
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藤原 忍
日本アイ・ビー・エム株式会社大和システム開発研究所
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本庄 弘明
NECデバイスプラットフォーム研究所
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田原 修一
NEC基礎研究所
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土田 賢二
株式会社東芝研究開発センター
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大橋 啓之
日本電気(株)
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大橋 啓之
日本電気株式会社 基礎・環境研究所
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與田 博明
株式会社東芝研究開発センター
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浅尾 吉昭
株式会社東芝セミコンダクター社、SoC研究開発センター
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池川 純夫
株式会社東芝研究開発センター
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田原 修一
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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斉藤 信作
日本電気(株)
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本庄 弘明
日本電気株式会社
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浅尾 吉昭
(株)東芝 研究開発センター
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與田 博明
(株)東芝 研究開発センター
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田原 修一
日本電気(株) システムデバイス研究所
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田原 修一
日本電気株式会社
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田原 修一
NECシステムデバイス研究所
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池川 純夫
(株)東芝研究開発センター
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斎藤 信作
Nec
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與田 博明
(株)東芝
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小野 新平
電力中央研究所
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宮下 英一
NHK放送技術研究所
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林 直人
NHK放送技術研究所
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鈴木 哲広
NEC 機能エレクトロニクス研究所
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小野 裕明
株式会社日立製作所 コンシューマエレクトロニクス研究所
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藤原 忍
日本アイ・ビー・エム 大和システム開研
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浅尾 吉昭
(株)東芝研究開発センター
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土田 賢三
(株)東芝半導体研究開発センター
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立石 潔
パイオニア株式会社 研究開発部
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成毛 清実
株式会社東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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大石 豊
日本アイ・ビー・エム株式会社 大和システム開発研究所
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土田 賢二
(株)東芝半導体研究開発センター
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大橋 啓之
日本電気株式会社
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北原 淑行
富士フイルム株式会社r&d統括本部 記録メディア事業部
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石綿 延行
Necグリーンイノベーション研究所
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池川 純夫
東芝研究開発センター
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與田 博明
東芝 研開セ
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立石 潔
パイオニア(株)所沢技術研究所
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近藤 浩太
物材機構
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深見 俊輔
NECグリーンイノベーション研究所
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仲谷 栄伸
電通大情報理工
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本庄 弘明
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
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與田 博明
株式会社東芝半導体研究開発センター
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大河内 拓雄
原子力機構放射光
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加藤 健一
理研
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永原 聖万
NECデバイスプラットフォーム研究所
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齊藤 信作
NECデバイスプラットフォーム研究所
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根橋 竜介
NECデバイスプラットフォーム研究所
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三浦 貞彦
NECデバイスプラットフォーム研究所
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杉林 直彦
NECデバイスプラットフォーム研究所
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大河内 拓雄
JASRI
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千葉 大地
京都大学化学研究所
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小林 賢介
阪市大院理
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木下 豊彦
高輝度セ
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斉藤 好昭
(株)東芝 研究開発センター
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斉藤 好昭
東芝
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笠井 直記
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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笠井 直記
日本電気(株)
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波田 博光
日本電気(株)
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河野 浩
阪大基礎工
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山田 一彦
日本電気(株)
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大橋 啓之
NEC
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木下 豊彦
NEDO
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小野 新平
電中研
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小野 裕明
株式会社日立製作所ユビキタスプラットフォーム開発研究所
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斉藤 好昭
株式会社東芝研究開発センター
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上田 知正
株式会社東芝研究開発センター
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菊田 邦子
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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岸 達也
株式会社東芝研究開発センター
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小嗣 真人
Jasri
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山田 一彦
日本電気株式会社 機能デバイス研究所
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木下 豊彦
Jasri
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木下 啓藏
日本電気(株)
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崎村 昇
日本電気株式会社
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杉林 直彦
日本電気株式会社
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根橋 竜介
日本電気株式会社
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齋藤 信作
日本電気(株)システムデバイス研究所
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波田 博光
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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甲斐 正
株式会社東芝研究開発センター
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野中 義弘
NEC機能デバイス研究所
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鳥羽 環
NEC機能デバイス研究所
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野中 義弘
日本電気株式会社機能デバイス研究所
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鳥羽 環
日本電気株式会社機能デバイス研究所
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斉藤 信作
日本電気株式会社機能デバイス研究所
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石 勉
日本電気株式会社機能デバイス研究所
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斎藤 美紀子
日本電気株式会社機能デバイス研究所
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永原 聖万
NEC機能エレクトロニクス研究所
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石綿 延行
Necデバイスプラットフォーム研究所
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斎藤 美紀子
早稲田大学
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齋藤 美紀子
Nec・機能エレクトロニクス研究所
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大野 英男
東北大学電気通信研究所
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甲斐 正
(株)東芝研究開発センター
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林 直人
Nhk放送技術研究所 撮像・記録デバイス研究部
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岸 達也
(株)東芝研究開発センター
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小野 裕明
日立製作所コンシューマエレクトロニクス研究所
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小野 裕明
(株)日立製作所 ユビキタスプラットフォーム開発研究所
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羽生 貴弘
東北大学
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石 勉
MIRAI-Selete
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齋藤 美紀子
日本電気(株)基礎・環境研究所
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藤原 忍
日本アイ・ビー・エム株式会社 大和システム開発研究所
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大橋 啓介
MIRAI-Selete
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北原 淑行
富士フイルム株式会社R&D統括本部 記録メディア事業部
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宮下 英一
Nhk放送技術研究所 撮像・記録デバイス研究部
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加藤 建一
高輝度光科学研究セ
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小嗣 真人
広島大学放射光科学研究センター
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大野 英男
東北大 電気通信研 ナノ・スピン実験施設
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菊田 邦子
日本電気株式会社ulsiデバイス開発研究所
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斉藤 好昭
東芝 研開セ
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遠藤 哲郎
東北大学 学際科学国際高等研究センター
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大野 英男
東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設
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遠藤 哲郎
東北大学
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小嗣 真人
Jasri/spring-8
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大野 英男
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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永原 聖万
Nec
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小林 研介
(独) 物質・材料研究機構 共用ビームステーション
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小林 賢介
高エネ機構物構研CMRC
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樹神 克明
原子力研究開発機構
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深見 俊輔
物材機構
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小嗣 真人
財団法人高輝度光科学研究センター
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大嶋 則和
NECエナジーデバイス
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木下 啓蔵
東北大学
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辻 幸秀
日本電気株式会社
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深見 俊輔
東北大学
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齊藤 信作
日本電気株式会社
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三浦 貞彦
日本電気株式会社
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笠井 直記
東北大学
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川口 真志
京大化研
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深見 俊輔
NECグリーン研
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辻 幸秀
NECグリーンイノベーション研究所
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谷川 博信
ルネサスエレクトロニクス
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大野 英男
東北大学
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鈴木 哲広
ルネサスエレクトロニクス
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仲谷 栄伸
電通大情報理
-
小林 研介
大阪大学大学院理学研究科
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島村 一利
京都大学化学研究所
-
河口 真志
京都大学化学研究所
-
小嗣 真人
(公財)高輝度光科学研究センター(SPring-8/JASRI)
-
深見 俊輔
NEC:東北大CSIS
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小野 裕明
株式会社日立製作所コンシューマエレクトロニクス研究所
-
石綿 延行
日本電気株式会社グリーンイノベーション研究所
-
小野 輝勇
京大化研
著作論文
- [特別招待講演]MRAMの高性能化とその課題(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
- 大容量、高速、低電力、6F^2 MRAMセルのデバイスデザインおよびプロセスインテグレーション : 新しい磁化反転方式の提案(新型不揮発性メモリ)
- MR2000-15 高速記録用小型コア高Bsヘッドの記録特性
- マルチメディアストレージ
- 磁気ヘッドにおけるフォトリソ技術
- 25aPS-43 Co/Ni細線における磁壁電流駆動の温度依存性(25aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 25aPS-34 磁壁オシレーターの開発(25aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 28aHF-9 SPELEEMを用いたCo/Ni細線中の電流誘起磁壁移動観察(28aHF スピントロニクス(スピンホール効果,ナノ磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 26aPS-35 Co/Ni細線における磁壁電流駆動の温度依存性II(26aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 28aHF-8 磁壁回転素子の開発2(28aHF スピントロニクス(スピンホール効果,ナノ磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 26aPS-24 電流印加下におけるデピニング磁場測定(26aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23pRA-5 磁壁電流駆動における閾電流密度に対する外部磁場の影響II(23pRA スピントロニクス(スピントルク・電流誘起ダイナミクス・薄膜・微粒子),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23pRA-4 垂直磁化Co/Ni細線の磁壁電流駆動の温度依存性(23pRA スピントロニクス(スピントルク・電流誘起ダイナミクス・薄膜・微粒子),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21aPS-31 Co/Ni細線における磁壁内の磁化回転検出の試み(21aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 3端子磁壁移動型セルを用いた不揮発性コンテントアドレッサブルメモリ(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 27aAA-8 磁壁電流駆動を用いたCo/Ni細線におけるスピン分極率の温度依存性(27aAA スピントロニクス(磁気渦・磁壁・磁気抵抗・スピントルク),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24aPS-28 Co/Ni細線における磁壁内の磁化回転検出の試みII(24aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24aPS-29 電流誘起磁壁速度と磁場誘起磁壁速度の加算性について(24aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24aPS-14 Co超薄膜におけるイオン液体を用いた磁性制御(24aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 19aCC-12 Co/Ni細線における磁壁内の磁化回転検出の試みIII(19aCC スピントロニクス(熱・力学的スピン・磁化制御),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 27aXA-10 Co超薄膜における磁気異方性の電界制御(27aXA スピントロニクス(ナノ磁性体),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 27aXA-7 透明ゲート電極下のCo/Pt細線における磁壁移動のKerr顕微鏡による観察(27aXA スピントロニクス(ナノ磁性体),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 遷移金属強磁性体における磁性の電界制御
- 1-3. マルチメディアストレージ(1. 画像エレクトロニクス,映像情報メディア年報〜2008年4月から2010年3月の進展〜)
- 25aPS-11 Pt/Co/MgO界面垂直磁気異方性の電界による変調(領域3ポスターセッション(スピントロニクス・表面・界面磁性・マルチフェロイクス・遍歴磁性・磁性一般),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 25aPS-20 透明ゲート電極下のCo/Pt細線における磁壁移動のKerr顕微鏡による観察(II)(領域3ポスターセッション(スピントロニクス・表面・界面磁性・マルチフェロイクス・遍歴磁性・磁性一般),領域3(磁性,磁気共鳴))