深見 俊輔 | NECデバイスプラットフォーム研究所

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概要

• 同名の論文著者
• NECデバイスプラットフォーム研究所の論文著者

関連著者

• 深見 俊輔

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 深見 俊輔

  NECA:東北大

• 小野 輝男

  京大化研

• 千葉 大地

  京大化研

• 石綿 延行

  Necデバプラ研

• 大嶋 則和

  Necデバプラ研

• 大嶋 則和

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 小野 輝男

  京都大学化学研究所

• 鈴木 哲広

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 小山 知弘

  京大化研

• 仲谷 栄伸

  電通大情報

• 石綿 延行

  日本電気株式会社 機能デバイス研究所

• 石綿 延行

  日本電気株式会社

• 谷川 博信

  日本電気 グリーンイノベーション研究所

• 小山 知弘

  京都大学化学研究所

• 石綿 延行

  Necデバイスプラットフォーム研究所

• 石綿 延行

  Nec

• 谷川 博信

  NECデバプラ研

• 深見 俊輔

  Nec

• 大嶋 則和

  NEC機能エレクトロニクス研究所

• 谷川 博信

  京大化研

• 千葉 大地

  科学技術振興機構erato

• 上田 浩平

  京大化研

• 小野 輝男

  慶大理工

• 永原 聖万

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 三浦 貞彦

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 杉林 直彦

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 山田 元

  京大化研

• 島村 一利

  京大化研

• 永原 聖万

  NEC機能エレクトロニクス研究所

• 本庄 弘明

  日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所

• 近藤 浩太

  京都大学化学研究所

• 根橋 竜介

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 本庄 弘明

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 斉藤 信作

  日本電気(株)

• 斎藤 信作

  Nec

• 杉林 直彦

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 島村 一利

  東大化研

• 河口 真志

  京大化研

• 葛西 伸哉

  物質・材料研究機構磁性材料センター

• 近藤 浩太

  京大化研

• 葛西 伸哉

  京大化研

• 齊藤 信作

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 崎村 昇

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 森 馨

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 大嶋 則和

  Nec

• 鈴木 哲広

  Nec

• 平松 亮

  京大化研

• 崎村 昇

  NEC グリーンイノベーション研究所

• 齋藤 信作

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 尾崎 康亮

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 笠井 直記

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 笠井 直記

  日本電気(株)

• 斉藤 信作

  Nec デバイスプラットフォーム研

• 尾崎 康亮

  Necエレクトロニクス株式会社 先端デバイス開発部

• 柿堺 悠

  慶大理工

• 笠井 直記

  東北大学

• 深見 俊輔

  東北大CSIS

• 谷川 博信

  NEC

• 柿堺 悠

  京大化研

• 山田 貴大

  京大化研

• 小林 研介

  京大化研

• 五十嵐 忠二

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 加藤 有光

  日本電気(株)

• 末光 克巳

  日本電気(株)

• 小野 新平

  電力中央研究所

• 鈴木 哲広

  NEC 機能エレクトロニクス研究所

• 松倉 文〓

  東北大学電気通信研究所 超高密度・高速知能システム実験施設

• 大野 英男

  東北大CSIS

• 鈴木 哲広

  ルネサスエレクトロニクス

• 松倉 文礼

  東北大CSIS

• 小野 輝男

  大阪大院基礎工

• 千葉 大地

  京都大学化学研究所

• 波田 博光

  日本電気(株)

• 杉林 直彦

  日本電気(株)

• 根橋 竜介

  日本電気(株)

• 崎村 昇

  日本電気(株)

• 本庄 弘明

  日本電気(株)

• 三浦 貞彦

  日本電気(株)

• 森 馨

  日本電気(株)

• 大嶋 則和

  日本電気(株)

• 木下 啓藏

  日本電気(株)

• 鈴木 哲広

  日本電気(株)

• 永原 聖万

  日本電気(株)

• 石綿 延行

  日本電気(株)

• 深見 俊輔

  日本電気(株)

• 崎村 昇

  日本電気株式会社

• 杉林 直彦

  日本電気株式会社

• 根橋 竜介

  日本電気株式会社

• 本庄 弘明

  日本電気株式会社

• 羽生 貴弘

  東北大学

• 松倉 文礼

  東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設

• 松倉 文

  東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設

• 大野 英男

  東北大 電気通信研 ナノ・スピン実験施設

• 石綿 延行

  Necグリーンイノベーション研究所

• 笠井 直記

  Nec 先端デバイス開発本部

• 遠藤 哲郎

  東北大学

• 大野 英男

  東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター

• 近藤 浩太

  物材機構

• 辻 幸秀

  日本電気株式会社

• 深見 俊輔

  東北大学

• 三浦 貞彦

  日本電気株式会社

• 川口 真志

  京大化研

• 谷川 博信

  ルネサスエレクトロニクス

• 大野 英男

  東北大学

• 深見 俊輔

  NECグリーンイノベーション研究所

• 仲谷 栄伸

  電通大情報理工

• 千葉 大地

  京大化研:JSTさきがけ

• 大河内 拓雄

  原子力機構放射光

• 加藤 健一

  理研

• 山田 啓介

  京都大学化学研究所

• 大河内 拓雄

  JASRI

• Jamet J.

  パリ南大

• Ferre J.

  パリ南大

• Thiaville A.

  パリ南大

• 小林 研介

  京都大学化学研究所

• 小林 賢介

  阪市大院理

• 木下 豊彦

  高輝度セ

• 田原 修一

  日本電気(株)基礎研究所

• 田原 修一

  NEC基礎研究所

• 河野 浩

  阪大基礎工

• 木下 豊彦

  NEDO

• 小野 新平

  電中研

• 小嗣 真人

  Jasri

• Thiaville Andre

  パリ南大

• 徳留 圭一

  日本電気株式会社 システムデバイス研究所

• 木下 豊彦

  Jasri

• 笠井 直記

  Nec システムデバイス研

• 伊藤 雄一

  NECエレクトロニクス(株)

• 小林 洋介

  NECエレクトロニクス(株)

• 志村 健一

  日本電気株式会社

• 本田 雄士

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 志村 健一

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 辻 清孝

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 福本 能之

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 沼田 秀昭

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 向井 智徳

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 杉林 直彦

  日本電気・デバイスプラットフォーム研究所

• 田原 修一

  日本電気(株) システムデバイス研究所

• 田原 修一

  日本電気株式会社

• 田原 修一

  NECシステムデバイス研究所

• 永原 聖万

  日本電気 機能デバイス研究所

• 本庄 弘明

  日本電気 機能デバイス研究所

• 石綿 延行

  日本電気 機能デバイス研究所

• 本田 雄士

  Nec基礎研究所

• 大野 英男

  東北大学電気通信研究所

• 福本 能之

  Necシステムデバイス研究所

• 森岡 あゆ香

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 加藤 建一

  高輝度光科学研究セ

• 小嗣 真人

  広島大学放射光科学研究センター

• 石綿 延行

  日本電気株式会社 グリーンイノベーション研究所

• Honda T

  Fukuoka Univ. Fukuoka Jpn

• 遠藤 哲郎

  東北大学 学際科学国際高等研究センター

• 大野 英男

  東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設

• 加藤 有光

  日本電気 グリーンイノベーション研究所

• 三浦 貞彦

  日本電気 グリーンイノベーション研究所

• 深見 俊輔

  日本電気 グリーンイノベーション研究所

• 鈴木 哲広

  日本電気 グリーンイノベーション研究所

• 大嶋 則和

  日本電気 グリーンイノベーション研究所

• 斉藤 信作

  日本電気 グリーンイノベーション研究所

• 根橋 竜介

  日本電気 グリーンイノベーション研究所

• 崎村 昇

  日本電気 グリーンイノベーション研究所

• 森 馨

  日本電気 グリーンイノベーション研究所

• 杉林 直彦

  日本電気 グリーンイノベーション研究所

• 小嗣 真人

  Jasri/spring-8

• 永原 聖万

  Nec

• 小林 研介

  (独) 物質・材料研究機構 共用ビームステーション

• 小林 賢介

  高エネ機構物構研CMRC

• 樹神 克明

  原子力研究開発機構

• 深見 俊輔

  物材機構

• 小嗣 真人

  財団法人高輝度光科学研究センター

• 大嶋 則和

  NECエナジーデバイス

• 木下 啓蔵

  東北大学

• 齊藤 信作

  日本電気株式会社

• 深見 俊輔

  NECグリーン研

• 辻 幸秀

  NECグリーンイノベーション研究所

• 仲谷 栄伸

  電通大情報理

• 小林 研介

  大阪大学大学院理学研究科

• 島村 一利

  京都大学化学研究所

• 河口 真志

  京都大学化学研究所

• 大嶋 則和

  ルネサスエレクトロニクス

• 森山 貴広

  京大化研

• 苅屋田 英嗣

  ルネサスエレクトロニクス

• 小嗣 真人

  (公財)高輝度光科学研究センター(SPring-8/JASRI)

• 末光 克巳

  ルネサスエレクトロニクス

• 松倉 文礼

  東北大CSIS:東北大WPI-AIMR:東北大RIEC

• 深見 俊輔

  NECA

• 深見 俊輔

  NEC:東北大CSIS

• 大野 英男

  東北大CSIS:東北大WPI-AIMR:東北大RIEC

• 木下 啓藏

  東北大学

• 森岡 あゆ香

  日本電気株式会社

• 徳留 圭一

  日本電気株式会社

• 小野 輝勇

  京大化研

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著作論文

• 20pGJ-4 垂直磁気異方性を有するCo/Ni細線における複数磁壁電流駆動II(20pGJ 磁壁,磁化ダイナミクス,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 20pGJ-2 外部磁場によるCo/Ni細線中の磁壁伝搬観測(20pGJ 磁壁,磁化ダイナミクス,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 20pGJ-3 Co/Ni多層膜細線における磁壁電流駆動の積層膜厚および膜厚比率依存性(20pGJ 磁壁,磁化ダイナミクス,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 20aPS-28 細線形状制御による磁壁駆動電流密度の低減(20aPS 領域3ポスターセッション(薄膜・人工格子・表面・微小領域・スピントロニクス・遍歴・化合物磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 垂直磁化磁壁移動セルを用いた高速低電流MRAM(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
• SoC混載に適した垂直磁化磁壁移動型MRAM
• 27aRA-5 外部磁場下におけるCo/Ni細線中の磁壁電流駆動(磁化ダイナミクス,領域3,磁性,磁気共鳴)
• 25pPSA-29 垂直磁気異方性を有するCo/Ni細線における複数磁壁電流駆動(領域3ポスターセッション(スピントロニクス・遍歴磁性等),領域3,磁性,磁気共鳴)
• 25pPSA-27 垂直磁気異方性を有するCo/Ni細線の磁気異方性定数の決定(領域3ポスターセッション(スピントロニクス・遍歴磁性等),領域3,磁性,磁気共鳴)
• 28aPS-112 垂直磁気異方性を有するCo/Ni細線への単一磁壁導入(28aPS 領域3ポスターセッション(スピントロニクス・フラストレーション系・実験技術),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 28aPS-108 垂直磁気異方性を有するCo/Ni細線中の磁壁電流駆動現象 : しきい電流密度の低減(28aPS 領域3ポスターセッション(スピントロニクス・フラストレーション系・実験技術),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 27pTF-2 垂直磁気異方性を有するCo/Ni細線中の磁壁電流駆動 : 磁壁移動速度の測定(27pTF 細線・トルク,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 21pQG-8 垂直磁気異方性を有する強磁性細線中の磁壁電流駆動(21pQG スピントロニクス・微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 24aWL-10 垂直磁気異方性を有するCoCrPt細線中の磁壁電流駆動(24aWL 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 23aPS-20 垂直磁気異方性を有する強磁性細線中の磁壁電流駆動における細線幅依存性(23aPS ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
• MRAMの技術動向、今後の展開、32MbMRAM開発(メモリ技術)
• 4MbMRAMとその応用(新メモリ技術とシステムLSI)
• 電流誘起磁壁移動現象の高速MRAMへの応用 (特集 MRAM最前線)
• 電流誘起磁壁移動現象の高速MRAMへの応用
• 25aPS-43 Co/Ni細線における磁壁電流駆動の温度依存性(25aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 24aWP-5 磁壁電流駆動における閾電流密度に対する外部磁場の影響(24aWP 磁化ダイナミクス,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 垂直磁化磁壁移動セルを用いた高速低電流MRAM(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
• 25aPS-34 磁壁オシレーターの開発(25aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
• スピン移行トルク磁壁移動を用いた高速磁気ランダムアクセスメモリ
• 28aHF-9 SPELEEMを用いたCo/Ni細線中の電流誘起磁壁移動観察(28aHF スピントロニクス(スピンホール効果,ナノ磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 26aPS-35 Co/Ni細線における磁壁電流駆動の温度依存性II(26aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 28aHF-8 磁壁回転素子の開発2(28aHF スピントロニクス(スピンホール効果,ナノ磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 26aPS-24 電流印加下におけるデピニング磁場測定(26aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 23pRA-5 磁壁電流駆動における閾電流密度に対する外部磁場の影響II(23pRA スピントロニクス(スピントルク・電流誘起ダイナミクス・薄膜・微粒子),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 23pRA-4 垂直磁化Co/Ni細線の磁壁電流駆動の温度依存性(23pRA スピントロニクス(スピントルク・電流誘起ダイナミクス・薄膜・微粒子),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 21aPS-31 Co/Ni細線における磁壁内の磁化回転検出の試み(21aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 3端子磁壁移動型セルを用いた不揮発性コンテントアドレッサブルメモリ(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• 27aAA-8 磁壁電流駆動を用いたCo/Ni細線におけるスピン分極率の温度依存性(27aAA スピントロニクス(磁気渦・磁壁・磁気抵抗・スピントルク),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 24aPS-28 Co/Ni細線における磁壁内の磁化回転検出の試みII(24aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 24aPS-29 電流誘起磁壁速度と磁場誘起磁壁速度の加算性について(24aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 24aPS-27 遷移金属強磁性体薄膜における電場効果(24aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 24aPS-14 Co超薄膜におけるイオン液体を用いた磁性制御(24aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 19aCC-10 電気二重層を用いた鉄超薄膜における電界効果(19aCC スピントロニクス(熱・力学的スピン・磁化制御),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 19aCC-12 Co/Ni細線における磁壁内の磁化回転検出の試みIII(19aCC スピントロニクス(熱・力学的スピン・磁化制御),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 27aXA-10 Co超薄膜における磁気異方性の電界制御(27aXA スピントロニクス(ナノ磁性体),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 27aXA-7 透明ゲート電極下のCo/Pt細線における磁壁移動のKerr顕微鏡による観察(27aXA スピントロニクス(ナノ磁性体),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 遷移金属強磁性体における磁性の電界制御
• 27pXA-4 垂直磁化Co/Ni多層膜における磁壁電流駆動現象の磁性層膜厚依存性(27pXA スピントロニクス(スピン依存伝導),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 26aPS-15 非対称な膜構成を持つ強磁性金属薄膜における異常磁気抵抗効果(26aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 27aKF-3 強磁性金属薄膜における電流誘起有効磁場の直流ホール測定による決定(スピントロニクス(磁化ダイナミクス),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 25aPS-11 Pt/Co/MgO界面垂直磁気異方性の電界による変調(領域3ポスターセッション(スピントロニクス・表面・界面磁性・マルチフェロイクス・遍歴磁性・磁性一般),領域3(磁性,磁気共鳴))
• スピン論理集積回路における基本ゲートの高信頼化技術(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• 25aPS-20 透明ゲート電極下のCo/Pt細線における磁壁移動のKerr顕微鏡による観察(II)(領域3ポスターセッション(スピントロニクス・表面・界面磁性・マルチフェロイクス・遍歴磁性・磁性一般),領域3(磁性,磁気共鳴))

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