垂直磁化磁壁移動セルを用いた高速低電流MRAM(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
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概要
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高速混載メモリの代替を目指した垂直磁化磁壁移動MRAMを開発した。試作素子の評価結果から、十分な熱安定性を維持した上で、書き込み電流は0.2mA以下、書き込み時間は2ns以下にできる見通しが得られ、また良好な「読み」、「書き」、「繰り返し」特性が実証された。当セルを90nmルールで設計した場合のセルサイズは0.1μm^2程度と見積もられる。これは現行のシステムLSIに混載されているほぼ全てのRAMと同等以上のコストパフォーマンスを有するものと考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-07-09
著者
-
石綿 延行
Necデバプラ研
-
深見 俊輔
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
鈴木 哲広
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
永原 聖万
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
大嶋 則和
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
尾崎 康亮
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
-
齊藤 信作
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
根橋 竜介
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
崎村 昇
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
本庄 弘明
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
森 馨
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
五十嵐 忠二
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
三浦 貞彦
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
杉林 直彦
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
斉藤 信作
日本電気(株)
-
齋藤 信作
日本電気(株)システムデバイス研究所
-
大嶋 則和
Necデバプラ研
-
斎藤 信作
Nec
-
永原 聖万
NEC機能エレクトロニクス研究所
-
石綿 延行
Necデバイスプラットフォーム研究所
-
斉藤 信作
Nec デバイスプラットフォーム研
-
杉林 直彦
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
尾崎 康亮
Necエレクトロニクス株式会社 先端デバイス開発部
-
崎村 昇
NEC グリーンイノベーション研究所
-
深見 俊輔
NECA:東北大
-
本庄 弘明
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
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