MRAM技術の進展と課題(新型不揮発性メモリー)
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概要
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MRAMは低消費電力、高速、大容量、書換え耐性無限大といった特徴を持った高性能メモリとして期待されており、多くの研究機関が研究開発に取り組んでいる。実用化への課題も明確になりつつあり、最近ではMb級の選択トランジスタ型MRAMも開発され、集積化の研究も進展してきた。今後は、書き込み電流値の低減や誤書込みを起こさないためのマージン拡大などの実用化に向けた課題を解決する必要がある。ここではMRAMの原理、特徴と開発の現状を紹介し、今後の課題について述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-03-10
著者
-
石綿 延行
Necデバプラ研
-
田原 修一
NEC基礎研究所
-
與田 博明
(株)東芝 研究開発センター
-
田原 修一
日本電気(株) システムデバイス研究所
-
田原 修一
日本電気株式会社
-
石綿 延行
NECシステムデバイス研究所
-
田原 修一
NECシステムデバイス研究所
-
池川 純夫
(株)東芝研究開発センター
-
與田 博明
(株)東芝
-
池川 純夫
(株)東芝 基礎研究所
-
池川 純夫
東芝研究開発センター
-
與田 博明
東芝 研開セ
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