高温超伝導伝送線路を用いたインタコネクションと遅延線メモリの提案
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概要
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今日の高度情報化社会の発展に伴い、総スループットTbit/sを超えるATMスイッチの開発が要求されている。その実現には10GHz以上の高速デジタル信号に対応できるインタコネクションとセルバッファを必要とする。我々は、チップ間インタコネクションに高温超伝導体YBa_2Cu_3O_7-8(YBCO)コプレーナ伝送線路を、セルバッファに高温超伝導遅延線メモリを使用することを提案している。本報告では、チップ間インタコネクションを考慮して作製した線幅20μmのYBCOコプレータ伝送線路の低減衰特性(1.7dB/m at 10GHz, 77K)を示す。同じく線幅20μmのYBCOコプレーナ伝送線路共振器の測定結果から、分散が無く低ひずみで高速デジタル信号を伝搬可能なことを示す。また、線幅10μm、線路長37cmのYBCOコプレーナ線路を用いて作製した高温超伝導遅延線メモリの12.5GHzまでの動作波形と10GHz、32bitのバッファメモリ動作を示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-12-18
著者
-
田原 修一
NEC基礎研究所
-
吉武 務
NEC基礎研
-
田原 修一
NECシステムデバイス研究所
-
服部 渉
NEC基礎研究所
-
服部 渉
NEC 基礎研究所
-
吉武 務
NEC 基礎研究所
-
田原 修一
NEC 基礎研究所
-
田原 修一
Nec システムデバイス研
-
服部 渉
Nec 基礎・環境研
-
吉武 務
NEC基礎研究所
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