吉武 務 | NEC基礎研究所
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概要
関連著者
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吉武 務
NEC基礎研究所
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吉武 務
NEC基礎研
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田原 修一
NEC基礎研究所
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田原 修一
Nec システムデバイス研
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田原 修一
NECシステムデバイス研究所
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服部 渉
NEC基礎研究所
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服部 渉
Nec 基礎・環境研
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鈴木 真二
日本電気(株)
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鈴木 真二
Nec宇宙開発事
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乾 哲司
NEC基礎研究所
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鈴木 真二
Nec
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三浦 貞彦
超電導工学研
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柘植 久尚
NEC基礎研究所
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三浦 貞彦
NEC基礎研
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乾 哲司
NEC資源環境技術研究所
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服部 渉
NEC 基礎研究所
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吉武 務
NEC 基礎研究所
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田原 修一
NEC 基礎研究所
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佐藤 哲朗
日本電気(株)基礎研
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田中 慎一
Nec光・超高周波デバイス研究所
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森下 忠隆
超電導工学研究所
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佐藤 哲朗
NEC基礎研究所
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田原 修一
日本電気(株)基礎研究所
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吉武 務
日電 基礎研
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藤田 淳一
NEC基礎研
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五十嵐 等
NEC基礎研
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吉武 務
日本電気(株)基礎研
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藤田 淳一
日本電気(株)基礎研
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村上 誠一
Nec宇宙開発事業部
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森下 忠隆
(財)国際超電導産業技術研究センター超電導工学研究所
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榎本 陽一
超電導工学研究所
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川中 雅史
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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川中 雅史
NEC光・無線デバイス研究所
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田原 修一
日本電気(株) システムデバイス研究所
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鈴木 克己
超電導工学研究所・田町分室
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服部 渉
日本電気(株) 基礎研究所
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田中 慎二
日本電気株式会社
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鈴木 克己
超電導工学研究所
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村上 誠一
NEC C&C LSI開発本部
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三浦 貞彦
超電導工学研究所
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藤井 源四郎
NEC宇宙開発事
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嶋脇 秀徳
NEC光・超高周波デバイス研究所
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天宮 泰
NEC光・超高周波デバイス研究所
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嶋脇 秀徳
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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嶋脇 秀徳
Nec化合物デバイス事業部
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森下 忠隆
超電導工学研
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天宮 泰
NECデバイスプラットフォーム研究所
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天宮 泰
日本電気株式会社
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五十嵐 等
日電基礎研
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村上 誠一
日本電気(株)
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天宮 泰
Nec光・無線デバイス研究所
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田中 愼一
芝浦工業大学工学部
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吉武 務
日本電気(株)
著作論文
- 28p-APS-30 傾斜基板上のBi系単結晶薄膜合成とその電気伝導異方性
- YBCO薄膜を用いた Ka-band 帯域通過フィルタの作製
- 液相成長高温超電導フィルターのマイクロ波パワー特性
- YBCOマイクロストリップ共振器およびフィルタの電力依存性に及ぼす薄膜微細構造の影響
- 電磁エネルギーの有効利用 広がる超電導技術の応用(完)AIMセルバッファ用高温超電導遅延メモリの開発
- 高温超伝導伝送線路を用いたインタコネクションと遅延線メモリの提案
- 高速ATMセルバッファ用高温超伝導遅延線メモリの提案
- YBaCuO薄膜のマイクロ波特性のCu組成依存性
- 高温超伝導材料のマイクロ波素子応用
- YBaCuO薄膜の表面抵抗のCu組成依存性
- 12-GHz帯YBCO共振器-AlGaAs/GaAs HBTハイブリッド発振器
- エキシマレーザー蒸着法による高温超伝導薄膜のマイクロ波特性
- 高温超伝導伝送線路を用いたインタコネクションと遅延線メモリの提案
- YBaCuO薄膜の表面抵抗のCu組成依存性
- YBaCuO薄膜を用いたマイクロストリップライン共振器