藤田 淳一 | 日本電気(株)基礎研
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概要
関連著者
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藤田 淳一
日本電気(株)基礎研
-
五十嵐 等
日電基礎研
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佐藤 哲朗
日本電気(株)基礎研
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吉武 務
NECグリーンイノベーション研究所
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藤田 淳一
日本電気(株)
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藤田 淳一
NEC基礎研
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五十嵐 等
NEC基礎研
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上條 敦
日電基礎研
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久保 佳実
NEC基礎研
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吉武 務
日電 基礎研
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吉武 務
NEC基礎研
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吉武 務
日本電気(株)基礎研
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久保 佳実
日本電気(株)基礎研
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藤田 淳一
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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久保 佳実
日本電気(株)基礎研究所
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久保 佳実
Necトーキン株式会社研究開発本部
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久保 佳実
日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部 基礎研究所
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松井 真二
日本電気(株)基礎研究所
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松井 真二
Nec 基礎研
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松井 真二
日本電気(株)
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五十嵐 等
日本電気(株)(前)人事教育部
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上條 敦
NEC基礎研究所
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佐藤 哲朗
NEC基礎研究所
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五十嵐 等
日本電気(株)基礎研
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中島 順一郎
日本電気(株)資源環境技術研究所
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久保 佳実
NEC中央研究所
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松井 真二
兵庫県立大
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馬場 雅和
日本電気(株)基礎・環境研究所
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馬場 雅和
Nec 基礎・環境研
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上條 敦
NEC基礎研
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佐藤 哲朗
日本電気(株)
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五十嵐 等
日本電気(株)
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久保 佳実
日本電気(株)
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吉武 務
日本電気(株)
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森永 実
レーザー新世代研究センター
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藤田 淳一
日電基礎研
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上條 敦
NEC機能デバイス材料研究本部
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柘植 久尚
NEC基礎研究所
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三塚 勉
NEC基礎研究所
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三塚 勉
Nec基礎研
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佐藤 哲郎
日本電気(株)システムデバイス基礎研究本部
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竹内 一郎
日電 基礎研
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蔡 兆申
日電 基礎研
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石坂 智
日電 基礎研
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佐藤 哲朗
日電 基礎研
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藤田 淳一
日電 基礎研
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三浦 貞彦
NEC基礎研
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上條 敦
日本電気(株)基礎研究所
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佐藤 哲朗
資源研
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中島 順一郎
資源研
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菊田 惺志
東大・工
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清水 富士夫
電通大レーザー量子・物質
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清水 富士夫
電気通信大学 レーザー新世代研究センター
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辰巳 富彦
日本電気(株)機能エレクトロニクス研究所
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落合 幸徳
JST
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落合 幸徳
日本電気(株)基礎研究所
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藤田 淳一
Nec基礎研究所
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藤田 淳一
Nec基研
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清水 富士夫
電通大レーザーセンター:crest
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菊田 惺志
(財)高輝度光科学研究センター
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清水 富士夫
東京大学工学部
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渡部 平司
NECシステムデバイス研究所
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渡部 平司
日本電気(株)基礎研究所
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三浦 貞彦
超電導工学研
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渡部 平司
Necシリコンシステム研究所
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渡部 平司
日本電気(株)
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森永 実
東京大学工学部物理工学科
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蔡 兆申
日電基礎研
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藤田 淳一
日電・基礎研
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上條 敦
日電・基礎研
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五十嵐 等
日電・基礎研
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清水 富士夫
電通大ils
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吉武 務
NEC基礎研究所
著作論文
- 29p-ZK-3 低温STMによる酸化物超伝導体薄膜上における単一電子トンネル効果
- 28p-APS-31 Nd_Ce_xCuO_薄膜の電気特性の酸素濃度依存性(II)
- 28p-APS-30 傾斜基板上のBi系単結晶薄膜合成とその電気伝導異方性
- 25a-PS-74 Nd_Ce_xCuO_薄膜の電気特性の酸素濃度依存性
- イオンビーム・スパッタ法による酸化物超伝導薄膜
- 28p-PS-38 IBS法による酸化物超伝導薄膜の特性
- 電子線励起表面反応による3次元ナノ構造形成
- 電子ビーム励起表面反応を用いたナノメータエッチング
- 原子線ホログラフィー
- 3a-G-3 Co/Al 人工格子の構造と磁性(II)
- 28p-E-4 Co/Cr人工格子の構造
- 29a-F-6 イオンビームスパッタ法によるNi/Mo人工格子の作製とその構造解析
- 31a-PS-96 人工周期構造によるBi系超伝導薄膜の合成(31p PS 低温(酸化物超伝導))