天宮 泰 | Nec光・無線デバイス研究所

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• 天宮 泰

  Nec光・無線デバイス研究所

• 天宮 泰

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 嶋脇 秀徳

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 嶋脇 秀徳

  Nec化合物デバイス事業部

• 天宮 泰

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 天宮 泰

  日本電気株式会社

• 丹羽 隆樹

  NEC化合物デバイス事業部

• 丹羽 隆樹

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 嶋脇 秀徳

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 間々田 正行

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 鈴木 康之

  日本電気株式会社

• 鈴木 康之

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 鈴木 康之

  Nec光・無線デバイス研究所

• 田中 慎一

  Nec光・超高周波デバイス研究所

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  Nec 光・無線デバイス研究所

• 永野 暢雄

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 田中 愼一

  芝浦工業大学工学部

• 田中 慎二

  日本電気株式会社

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• 本城 和彦

  日本電気株式会社

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• 細谷 健一

  日本電気株式会社

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• 細谷 健一

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  Nec システムプラットフォーム研

• 牧田 紀久夫

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• 竹内 剛

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• 加藤 友章

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• 芝 和宏

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• 川中 雅史

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

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• 田原 修一

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• 中田 武志

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• 鳥飼 俊敬

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• 山崎 仁

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• 山之内 慎吾

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• 山之内 慎吾

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• 百々 秀彰

  NEC光、超高周波デバイス研究所

• 百々 秀彰

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 後藤 典夫

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• 芝和 宏

  Necナノエレクトロニクス研究所

• 山之内 慎吾

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• 吉武 務

  NEC基礎研究所

• 山之内 慎吾

  日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所

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著作論文

• 12-GHz帯YBCO共振器-AlGaAs/GaAs HBTハイブリッド発振器
• C-4-16 導波路型アバランシェ・フォトダイオードを用いた高感度 40Gb/s-APD 光受信器
• HBTを用いたKa帯MMIC高出力増幅器
• (λ/4±δ)長先端開放スタブ共振器を用いた低位相雑音38GHz HBT MMIC発振器
• C-2-3 (λ/4±δ)長先端開放スタブ共振器を用いた低位相雑音18GHz HBT発振器
• 部分整合回路付きHBTチップを用いたKa帯高出力増幅器
• AlGaAs/InGaAs微細HBTを用いた低消費電力40GHz分周器
• AlGaAs/InGaAs微細HBTを用いた低消費電力40GHz分周器
• AlGaAs/InGaAs微細HBTを用いた低消費電力40GHz分周器
• p^+外部ベース再成長AlGaAs/InGaAs HBTを用いた50GHzダイナミック分周器
• AlGaAs/InGaAs微細HBTの高速化と40GHz分周器への応用
• 外部ベース選択成長技術を用いたAlGaAs/InGaAs HBTのマイクロ波雑音特性 : マイクロ波帯低雑音HBT
• C-3-140 レセプタクル構造 40Gb/s 超小型受光フロントエンドモジュール

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