本城 和彦 | NEC光・超高周波デバイス研究所
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概要
関連著者
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本城 和彦
日本電気株式会社
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本城 和彦
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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本城 和彦
NEC光・超高周波デバイス研究所
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鈴木 康之
日本電気株式会社
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鈴木 康之
NEC光・超高周波デバイス研究所
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鈴木 康之
Nec光・無線デバイス研究所
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鈴木 康之
Nec 光・無線デバイス研究所
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松野 典朗
NEC光・無線デバイス研究所
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松野 典朗
Necシステムデバイス研究所
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矢野 仁之
NEC光・無線デバイス研究所
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矢野 仁之
Nec光・超高周波デバイス研究所
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田中 慎一
Nec光・超高周波デバイス研究所
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中田 裕之
東海大学 工学部 通信工学科
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田中 慎二
日本電気株式会社
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清田 春信
京都大学生存圏研究所
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川崎 繁男
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部
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天宮 泰
NEC光・超高周波デバイス研究所
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嶋脇 秀徳
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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嶋脇 秀徳
Nec化合物デバイス事業部
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安岡 芳久
東海大学電子情報学部
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天宮 泰
NECデバイスプラットフォーム研究所
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天宮 泰
日本電気株式会社
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丹羽 隆樹
NEC化合物デバイス事業部
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大久保 直樹
東海大学工学部通信工学科
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早田 和樹
東海大学 工学部 通信工学科
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安岡 芳久
東海大学 工学部 通信工学科
-
大久保 直樹
東海大学 工学部 通信工学科
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清田 春信
東海大学 工学部 通信工学科
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椿 茂樹
NEC化合物デバイス事業部
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戸田 鉄
NEC化合物デバイス事業部
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田中 愼一
NEC光・超高周波デバイス研究所
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丹羽 隆樹
NEC光・超高周波デバイス研究所
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天宮 泰
Nec光・無線デバイス研究所
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田中 愼一
芝浦工業大学工学部
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川崎 繁男
東海大学 工学部 通信工学科
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細谷 健一
日本電気株式会社
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細谷 健一
NEC光・超高周波デバイス研究所
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間々田 正行
NEC光・超高周波デバイス研究所
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細谷 健一
Nec システムプラットフォーム研
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嶋脇 秀徳
NEC光・超高周波デバイス研究所
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山崎 仁
NEC光・超高周波デバイス研究所
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山之内 慎吾
日本電気(株)
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山崎 仁
NECデバイスプラットフォーム研究所
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鈴木 康之
東海大学 工学部 通信工学科
-
川崎 繁男
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
平山 知央
NEC光・無線デバイス研究所
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渡辺 寿郎
NEC化合物デバイス事業部
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山之内 慎吾
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
山之内 慎吾
Necデバイスプラットフォーム研究所
-
山之内 慎吾
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
著作論文
- CPW給電スロットアンテナとMMIC発振器を用いた20GHz帯アクティブ集積アンテナの試作
- CPW給電スロットアンテナとMMIC発振器を用いた20GHz帯アクティブ集積アンテナの試作
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- 900MHz帯高効率Si MOS MMICパワーアンプ
- 900MHz帯高効率Si MOS MMICパワーアンプ
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- 携帯電話用Si Power MOSFETの歪み特性
- Power MOSFETの相互変調歪み特性における電源回路の影響
- HBTを用いたKa帯MMIC高出力増幅器
- (λ/4±δ)長先端開放スタブ共振器を用いた低位相雑音38GHz HBT MMIC発振器
- 部分整合回路付きHBTチップを用いたKa帯高出力増幅器
- マイクロ波トランジスタ, (社)電子情報通信学会(編), 高山洋一郎(著), "マイクロ波トランジスタ", (社)電子情報通信学会(1998-12), A5判, 定価(本体3,800円+税)