本城 和彦 | NEC光・超高周波デバイス研究所
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概要
関連著者
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本城 和彦
日本電気株式会社
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本城 和彦
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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本城 和彦
NEC光・超高周波デバイス研究所
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鈴木 康之
日本電気株式会社
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鈴木 康之
NEC光・超高周波デバイス研究所
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鈴木 康之
Nec光・無線デバイス研究所
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鈴木 康之
Nec 光・無線デバイス研究所
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松野 典朗
NEC光・無線デバイス研究所
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松野 典朗
Necシステムデバイス研究所
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矢野 仁之
NEC光・無線デバイス研究所
著作論文
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- 900MHz帯高効率Si MOS MMICパワーアンプ
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- 携帯電話用Si Power MOSFETの歪み特性
- Power MOSFETの相互変調歪み特性における電源回路の影響
- HBTを用いたKa帯MMIC高出力増幅器
- (λ/4±δ)長先端開放スタブ共振器を用いた低位相雑音38GHz HBT MMIC発振器