天宮 泰 | 日本電気株式会社
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概要
関連著者
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天宮 泰
日本電気株式会社
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天宮 泰
NECデバイスプラットフォーム研究所
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嶋脇 秀徳
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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嶋脇 秀徳
Nec化合物デバイス事業部
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田中 慎一
Nec光・超高周波デバイス研究所
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田中 愼一
芝浦工業大学工学部
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田中 慎二
日本電気株式会社
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間々田 正行
NEC光・超高周波デバイス研究所
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本城 和彦
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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丹羽 隆樹
NEC化合物デバイス事業部
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天宮 泰
NEC光・超高周波デバイス研究所
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天宮 泰
Nec光・無線デバイス研究所
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丹羽 隆樹
NEC光・超高周波デバイス研究所
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後藤 典夫
NEC光・超高周波デバイス研究所
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嶋脇 秀徳
NEC光・超高周波デバイス研究所
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永野 暢雄
NEC光・超高周波デバイス研究所
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鈴木 康之
日本電気株式会社
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吉田 信秀
NECデバイスプラットフォーム研究所
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野口 栄実
NECシステムIPコア研究所
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嶋脇 秀徳
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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天宮 泰
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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村上 誠一
Nec宇宙開発事業部
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大平 理覚
Necシステム実装研究所
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山崎 仁
NECデバイスプラットフォーム研究所
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野口 栄実
NECデバイスプラットフォーム研究所
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金光 俊一
NECエンジニアリング
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内田 宏章
NECエンジニアリング
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尾崎 学
NECエンジニアリング
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後藤 典夫
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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野田 有秀
NECシステムプラットフォーム研究所
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安部 淳一
Necデバイスプラットフォーム研究所
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和田 茂巳
日本電気(株)光・超高周波数デバイス研究所
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和田 茂己
NEC システムデバイス研究所
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細谷 健一
日本電気株式会社
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大平 理覚
NEC光デバイス事業部
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鈴木 康之
NEC光・超高周波デバイス研究所
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和田 茂己
NECデバイスプラットフォーム研究所
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鈴木 康之
Nec光・無線デバイス研究所
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細谷 健一
Nec システムプラットフォーム研
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本城 和彦
日本電気株式会社
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田中 慎一
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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大平 理覚
日本電気株式会社
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田中 愼一
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
福知 清
日本電気株式会社システムプラットフォーム研究所
-
金 昌佑
NEC光エレクトロニクス研究所
-
後藤 典夫
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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本城 和彦
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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鈴木 康之
Nec 光・無線デバイス研究所
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天宮 泰
NEC 光・無線デバイス研究所
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竹下 仁士
NECネットワーキング研究所
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天宮 泰
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
嶋脇 秀徳
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
竹下 仁士
日本電気株式会社システムプラットフォーム研究所
-
竹下 仁士
NECシステムプラットフォーム研究所
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本城 和彦
NEC光・超高周波デバイス研究所
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細谷 健一
NEC光・超高周波デバイス研究所
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伊東 俊治
Nec C&c メディア研究所
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福知 清
Nec システムプラットフォーム研
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村上 誠一
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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間々田 正行
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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肱岡 健一郎
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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泊 史朗
日本電気株式会社
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山口 博史
日本電気株式会社
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福知 清
NECシステムプラットフォーム研究所
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伊東 俊治
NECシステムプラットフォーム研究所
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岡本 稔
Necエンジニアリング(株)
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金 昌佑
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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藤田 定男
日本電気株式会社第一伝送通信事業部
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田辺 昭
Necエレクトロニクス(株)
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藤田 定男
NECシステムプラットフォーム研究所
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矢野 仁之
NEC光・無線デバイス研究所
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嶋脇 秀徳
NEC 光エレクトロニクス研究所
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田中 慎一
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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村上 誠一
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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間々田 正行
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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和田 茂己
NEC研究企画部
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野田 有秀
NECナノエレクトニクス研究所
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藤田 定男
日本電気株式会社エレクトロニクス研究所
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山瀬 知行
日本電気株式会社
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帰山 隼一
日本電気株式会社
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野口 栄実
日本電気株式会社
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山崎 仁
日本電気株式会社
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正田 裕明
日本電気株式会社
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池田 博伸
日本電気株式会社
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高橋 次男
日本電気株式会社
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野田 有秀
日本電気株式会社
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川原 信広
日本電気株式会社
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丹羽 隆樹
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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永野 暢雄
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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百々 秀彰
NEC光、超高周波デバイス研究所
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福知 清
NEC 光エレクトロニクス研究所
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古畑 直規
NEC光エレクトロニクス研究所
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田辺 昭
Necエレクトロニクス
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鈴木 康之
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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肱岡 健一郎
Necエレクトロニクス
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肱岡 健一郎
Necエレクトロニクス(株)
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矢野 仁之
Nec光・超高周波デバイス研究所
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梶原 昭博
防衛庁技術研究本部 第3研究所
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近藤 秀敏
NECマイクロエレクトロニクス研究所 宇宙開発事業部
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松村 英一
NECマイクロエレクトロニクス研究所 誘導光電事業部
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梶原 昭博
防衛庁 第3研究所
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田中 愼一
Necシステムデバイス研究所
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田原 修一
NEC基礎研究所
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吉武 務
NEC基礎研
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福知 清
NEC システムプラットフォーム研究所
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伊東 俊治
NEC システムプラットフォーム研究所
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手塚 宏
NEC光エレクトロニクス研究所
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川中 雅史
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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川中 雅史
NEC光・無線デバイス研究所
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金 昌佑
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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三好 陽介
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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竹内 剛
Nec光無線デバイス研究所
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田原 修一
NECシステムデバイス研究所
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洲崎 哲行
NEC光エレクトロニクス研究所
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竹内 剛
NEC 光・無線デバイス研究所
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山崎 仁
NEC光・超高周波デバイス研究所
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山之内 慎吾
日本電気(株)
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田中 愼一
NEC 光エレクトロニクス研究所
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村上 誠一
NEC 光エレクトロニクス研究所
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間々田 正行
NEC 光エレクトロニクス研究所
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後藤 典夫
NEC 光エレクトロニクス研究所
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本城 和彦
NEC 光エレクトロニクス研究所
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古畑 直規
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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大平 理覚
NEC 生産技術研究所
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山崎 仁
NEC システムデバイス研究所
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天宮 泰
NEC システムデバイス研究所
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竹下 仁士
NEC システムプラットフォーム研究所
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野田 有秀
NEC 生産技術研究所
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大平 理覚
NEC C&Cメディア研究所
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栗岡 千立
NECエンジニアリング
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田原 修一
Nec システムデバイス研
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三好 陽介
Nec化合物デバイス事業部
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竹内 剛
Nec光・無線デバイス研究所
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手塚 宏
Nec C&cメディア研究所
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古畑 直規
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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山之内 慎吾
NEC光・超高周波デバイス研究所
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天宮 泰
NEC光、超高周波デバイス研究所
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丹羽 隆樹
NEC光、超高周波デバイス研究所
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間々田 正行
NEC光、超高周波デバイス研究所
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田中 慎一
NEC光、超高周波デバイス研究所
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嶋脇 秀徳
NEC光、超高周波デバイス研究所
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百々 秀彰
NEC光・超高周波デバイス研究所
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大平 理覚
NEC 光エレクトロニクス研究所
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永野 暢雄
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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中善寺 知広
NEC第一伝送通信事業部
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洲崎 哲行
Nec C&cメディア研究所
-
洲崎 哲行
Nec C&cメディア研
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矢野 仁之
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
中善寺 知広
日本電気株式会社 Necネットワークス 光ネットワーク事業本部 光デバイス事業部
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山之内 慎吾
Necデバイスプラットフォーム研究所
-
鈴木 康之
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
永野 暢雄
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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矢野 仁之
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
吉武 務
NEC基礎研究所
-
山之内 慎吾
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
著作論文
- 94GHz帯HBT MMIC増幅器
- C-12-38 65nmCMOSを用いた大容量光通信向け40-Gb/sトランシーバ(1)(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-39 65nmCMOSを用いた大容量光通信向け40-Gb/sトランシーバ(2)(C-12.集積回路,一般セッション)
- 12-GHz帯YBCO共振器-AlGaAs/GaAs HBTハイブリッド発振器
- 35GHz帯1W高出力HBT増幅器
- 高出力・高効率K帯HBT
- 42%付加電力効率を有する26GHz帯高出力HBT
- 再成長外部ベース層を有するミリ波高出力HBTの ベースコンタクトの検討
- P+再成長外部ベースを有するHBTプリアンプ
- BCS-2-7 超高速光通信向け電気分散補償技術(BCS-2.超高速光通信システムの鍵を握る分散補償技術,シンポジウム)
- BCS-2-7 超高速光通信向け電気分散補償技術(BCS-2.超高速光通信システムの鍵を握る分散補償技術,シンポジウム)
- 40Gb/s信号向け広帯域波形イコライザモジュールの開発および波長多重長距離光伝送実験系での動作検証(高効率FEC,電気処理による分散・PMD補償技術,波形モニタリング,一般)
- B-10-38 43Gbit/sアイ開口モニタLSIを用いた電気分散補償器制御(B-10.光通信システムB(光通信),一般セッション)
- B-10-34 43Gb/sアイ開口モニタLSIを用いた分散量推定方法(B-10.光通信システムB(光通信),一般セッション)
- p^再成長外部ベースを有するマイクロ波ミリ波高出力HBT
- 43Gbit/sアイ開口モニタLSIを用いた分散量推定と電気分散補償器制御(フォトニックNWシステム・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 43Gbit/sアイ開口モニタLSIを用いた分散量推定と電気分散補償器制御(フォトニックNWシステム・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 43Gbit/sアイ開口モニタLSIを用いた分散量推定と電気分散補償器制御(フォトニックNWシステム・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- C-12-50 アイ開ロモニタを用いた自動識別点制御可能な40Gb/s CDR(C-12.集積回路,一般セッション)
- HBTを用いたKa帯MMIC高出力増幅器
- (λ/4±δ)長先端開放スタブ共振器を用いた低位相雑音38GHz HBT MMIC発振器
- C-2-3 (λ/4±δ)長先端開放スタブ共振器を用いた低位相雑音18GHz HBT発振器
- マイクロ波帯におけるHBTの低雑音化
- 部分整合回路付きHBTチップを用いたKa帯高出力増幅器
- AlGaAs/InGaAs微細HBTを用いた低消費電力40GHz分周器
- AlGaAs/InGaAs微細HBTを用いた低消費電力40GHz分周器
- AlGaAs/InGaAs微細HBTを用いた低消費電力40GHz分周器
- p^+外部ベース再成長AlGaAs/InGaAs HBTを用いた50GHzダイナミック分周器
- AlGaAs/InGaAs微細HBTの高速化と40GHz分周器への応用
- 外部ベース選択成長技術を用いたAlGaAs/InGaAs HBTのマイクロ波雑音特性 : マイクロ波帯低雑音HBT
- AlGaAs/InGaAs HBTを用いた40Gb/s伝送用分布型増幅器ICモジュール
- GaAs HBT-ICモジュールを用いた40Gb/s RZ光パルス受信実験
- 25GHz帯HBT高出力増幅回路の検討
- 40Gb/s光伝送用HBTプリアンプ
- 40Gb/s光伝送用HBTプリアンプ