間々田 正行 | NEC光・超高周波デバイス研究所

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概要

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関連著者

• 嶋脇 秀徳

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 嶋脇 秀徳

  Nec化合物デバイス事業部

• 天宮 泰

  日本電気株式会社

• 間々田 正行

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 天宮 泰

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 丹羽 隆樹

  NEC化合物デバイス事業部

• 田中 慎一

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 田中 慎二

  日本電気株式会社

• 天宮 泰

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 丹羽 隆樹

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 天宮 泰

  Nec光・無線デバイス研究所

• 田中 愼一

  芝浦工業大学工学部

• 本城 和彦

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 嶋脇 秀徳

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 後藤 典夫

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 鈴木 康之

  日本電気株式会社

• 村上 誠一

  Nec宇宙開発事業部

• 鈴木 康之

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 永野 暢雄

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 鈴木 康之

  Nec光・無線デバイス研究所

• 本城 和彦

  日本電気株式会社

• 鈴木 康之

  Nec 光・無線デバイス研究所

• 嶋脇 秀徳

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 村上 誠一

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 天宮 泰

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 田中 慎一

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 間々田 正行

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 後藤 典夫

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 後藤 典夫

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 本城 和彦

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 田中 慎一

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 村上 誠一

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 天宮 泰

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 嶋脇 秀徳

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 間々田 正行

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 本城 和彦

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 田中 愼一

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 百々 秀彰

  NEC光、超高周波デバイス研究所

• 梶原 昭博

  防衛庁技術研究本部 第3研究所

• 近藤 秀敏

  NECマイクロエレクトロニクス研究所 宇宙開発事業部

• 松村 英一

  NECマイクロエレクトロニクス研究所 誘導光電事業部

• 梶原 昭博

  防衛庁 第3研究所

• 金 昌佑

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 金 昌佑

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 天宮 泰

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 田中 愼一

  NEC 光エレクトロニクス研究所

• 村上 誠一

  NEC 光エレクトロニクス研究所

• 間々田 正行

  NEC 光エレクトロニクス研究所

• 嶋脇 秀徳

  NEC 光エレクトロニクス研究所

• 後藤 典夫

  NEC 光エレクトロニクス研究所

• 本城 和彦

  NEC 光エレクトロニクス研究所

• 古畑 直規

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 細谷 健一

  日本電気株式会社

• 細谷 健一

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 天宮 泰

  NEC光、超高周波デバイス研究所

• 丹羽 隆樹

  NEC光、超高周波デバイス研究所

• 間々田 正行

  NEC光、超高周波デバイス研究所

• 田中 慎一

  NEC光、超高周波デバイス研究所

• 嶋脇 秀徳

  NEC光、超高周波デバイス研究所

• 百々 秀彰

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 古畑 直規

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 細谷 健一

  Nec システムプラットフォーム研

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著作論文

• 94GHz帯HBT MMIC増幅器
• 35GHz帯1W高出力HBT増幅器
• 高出力・高効率K帯HBT
• 42%付加電力効率を有する26GHz帯高出力HBT
• 再成長外部ベース層を有するミリ波高出力HBTの ベースコンタクトの検討
• (λ/4±δ)長先端開放スタブ共振器を用いた低位相雑音38GHz HBT MMIC発振器
• マイクロ波帯におけるHBTの低雑音化
• 部分整合回路付きHBTチップを用いたKa帯高出力増幅器
• AlGaAs/InGaAs微細HBTを用いた低消費電力40GHz分周器
• AlGaAs/InGaAs微細HBTを用いた低消費電力40GHz分周器
• AlGaAs/InGaAs微細HBTを用いた低消費電力40GHz分周器
• p^+外部ベース再成長AlGaAs/InGaAs HBTを用いた50GHzダイナミック分周器
• AlGaAs/InGaAs微細HBTの高速化と40GHz分周器への応用
• 外部ベース選択成長技術を用いたAlGaAs/InGaAs HBTのマイクロ波雑音特性 : マイクロ波帯低雑音HBT

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