42%付加電力効率を有する26GHz帯高出力HBT
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概要
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衛星間通信用の電力増幅器等には数十ワットの高出力が必要となるが、これを固体素子モジュールの複数構成により実現するためには,高い電力密度の素子が要求される.我々は外部ベース層の選択再成長技術を用いた高f_<max>(>200GHz)およびHBT本来の高電力密度性を活かし,単一セルチップで出力650mW(付加電力効率17%,利得6dB)@26GHzを報告してきた.今回,さらに特性改善を図るため最適な素子レイアウトを検討した結果,良好な特性が得られたので報告する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
-
本城 和彦
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
田中 慎一
Nec光・超高周波デバイス研究所
-
村上 誠一
Nec宇宙開発事業部
-
後藤 典夫
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
本城 和彦
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
田中 慎二
日本電気株式会社
-
嶋脇 秀徳
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
嶋脇 秀徳
Nec化合物デバイス事業部
-
田中 慎一
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
村上 誠一
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
天宮 泰
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
嶋脇 秀徳
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
間々田 正行
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
天宮 泰
日本電気株式会社
-
間々田 正行
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
後藤 典夫
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
田中 愼一
芝浦工業大学工学部
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