2×2散乱行列を用いたHBTキャリア輸送のモデリング
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概要
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本報告ではヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)のキャリア輸送を記述する新しい解析的物理モデルを提案する。本手法においてはHBTをいくつかの主要部に分割し、各々を2×2散乱行列で表わすことにより多層膜化・薄膜化が進むHBTの複雑なキャリア輸送現象を取り扱うことが可能になる。対象となる物理量はデバイス分割境界における二方向のキャリアの流れ(フラックス)であり、両方向に対して独立と見なされる。この点が正味のフラックス、即ち「電流」を扱う従来手法と大きく異なる。とくにベース輸送に関しては、McKelveyのフラックス理論の応用により簡便なモデルながら薄膜ベース層の準バリスティックなキャリア輸送を記述することができる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-01-20
著者
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