携帯電話用Si Power MOSFETの歪み特性
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-03-06
著者
-
本城 和彦
日本電気株式会社
-
本城 和彦
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
鈴木 康之
日本電気株式会社
-
松野 典朗
NEC光・無線デバイス研究所
-
鈴木 康之
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
本城 和彦
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
松野 典朗
Necシステムデバイス研究所
-
平山 知央
NEC光・無線デバイス研究所
-
渡辺 寿郎
NEC化合物デバイス事業部
-
鈴木 康之
Nec光・無線デバイス研究所
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