Power MOSFETの相互変調歪み特性における電源回路の影響
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概要
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ソース接地MOSFETを用いたマイクロ波帯増幅器における、バイアス電源供給回路が相互変調歪み特性に与える影響について、大信号シミュレーションによる解析を行った。増幅器に2トーン信号を入力すると、FETの2次の非線形性により入力信号の差周波電流がドレインに発生する。これがドレインバイアス回路を流れることにより、ドレイン電圧が差周波で変動する。この電圧変動が入力信号を変調し、相互変調歪みが発生する。ドレインバイアス回路のインピーダンスが高くなるとこの電圧変動が大きくなるため、相互変調歪みは増加する。一般に差周波数が高くなるにつれバイアス回路のインピーダンスも高くなるため、このような性能劣化は帯域の広いアプリケーションでより深刻になる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-09-26
著者
-
本城 和彦
日本電気株式会社
-
本城 和彦
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
鈴木 康之
日本電気株式会社
-
矢野 仁之
NEC光・無線デバイス研究所
-
松野 典朗
NEC光・無線デバイス研究所
-
鈴木 康之
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
本城 和彦
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
松野 典朗
Necシステムデバイス研究所
-
鈴木 康之
Nec光・無線デバイス研究所
-
矢野 仁之
Nec光・超高周波デバイス研究所
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