AlGaAs/InGaAs HBTを用いた40Gb/s伝送用分布型増幅器ICモジュール
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概要
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近年、インターネットに代表されるデータ通信の容量増加に伴い、基幹系光伝送システムに対する高速、大容量化の要求は高まるばかりである。時分割多重(TDM)方式においては、40Gb/s光伝送用の超高速IC、ICモジュールの研究開発が盛んに行われている。今回、GaAs HBTを用いた40 Gb/s伝送用分布型増幅器ICを試作し、モジュール評価を行ったので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
-
嶋脇 秀徳
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
嶋脇 秀徳
Nec化合物デバイス事業部
-
天宮 泰
NEC 光・無線デバイス研究所
-
嶋脇 秀徳
NEC 光エレクトロニクス研究所
-
天宮 泰
日本電気株式会社
-
大平 理覚
日本電気株式会社
-
丹羽 隆樹
NEC 光・超高周波デバイス研究所
-
丹羽 隆樹
NEC化合物デバイス事業部
-
大平 理覚
NEC 光エレクトロニクス研究所
-
福知 清
NEC 光エレクトロニクス研究所
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