田原 修一 | NEC基礎研究所
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概要
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田原 修一
NEC基礎研究所
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田原 修一
NECシステムデバイス研究所
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日本電気(株)システムデバイス研究所
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Nec基礎・環境研究所
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與田 博明
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(株)東芝
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永沢 秀一
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永沢 秀一
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日本電気(株)
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(株)東芝半導体研究開発センター
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土田 賢二
(株)東芝半導体研究開発センター
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亀田 義男
NEC基礎研究所
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Nec基礎研究所
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石綿 延行
Necデバプラ研
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NECデバイスプラットフォーム研究所
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田原 修一
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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(株)東芝研究開発センター
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田原 修一
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NEC基礎研究所
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池川 純夫
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永原 聖万
NECデバイスプラットフォーム研究所
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NECデバイスプラットフォーム研究所
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NEC基礎研究所
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株式会社東芝研究開発センター
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株式会社東芝研究開発センター
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日本電気(株)システムデバイス研究所
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NEC機能エレクトロニクス研究所
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土田 賢二
(株)東芝SoC研究開発センター
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杉林 直彦
NECシリコンシステム研究所
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田原 修一
NECシリコンシステム研究所
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Honda T
Fukuoka Univ. Fukuoka Jpn
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崎村 昇
NEC グリーンイノベーション研究所
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佐藤 哲朗
超電導工学研究所
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齊藤 信作
NECデバイスプラットフォーム研究所
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笠井 直記
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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NECシリコンシステム研究所
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笠井 直記
日本電気(株)
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佐藤 哲朗
NEC基礎研究所
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稲場 恒夫
(株)東芝ULSI研究所
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浅尾 吉昭
株式会社東芝セミコンダクター社、SoC研究開発センター
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池川 純夫
株式会社東芝研究開発センター
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石綿 延行
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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杉林 直彦
日本電気(株)
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崎村 昇
日本電気(株)
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斉藤 信作
日本電気(株)
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日本電気(株)
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日本電気(株)
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日本電気株式会社
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志村 健一
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Necデバプラ研
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日本電気・デバイスプラットフォーム研究所
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日本電気株式会社システムデバイス研究所
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斎藤 信作
Nec
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斉藤 信作
Nec デバイスプラットフォーム研
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甲斐 正
(株)東芝研究開発センター
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福本 能之
Necシステムデバイス研究所
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服部 渉
NEC 基礎研究所
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吉武 務
NEC 基礎研究所
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長岡技術科学大学工学部電気系
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(株)東芝 基礎研究所
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田原 修一
日本電気(株) 基礎研究所
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石綿 延行
日本電気株式会社 グリーンイノベーション研究所
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稲場 恒夫
(株)東芝半導体研究開発センター
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笠井 直記
Nec 先端デバイス開発本部
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濱崎 勝義
長岡技術科学大学
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笠井 直記
東北大学
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石綿 延行
日本電気株式会社
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日高 睦夫
超電導工学研究所
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深見 俊輔
NECデバイスプラットフォーム研究所
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NECデバイスプラットフォーム研究所
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大嶋 則和
NECデバイスプラットフォーム研究所
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根橋 竜介
NECデバイスプラットフォーム研究所
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本庄 弘明
NECデバイスプラットフォーム研究所
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森 馨
NECデバイスプラットフォーム研究所
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名古屋大学
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(株)東芝 研究開発センター
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(株)東芝研究開発センター
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Nec光・超高周波デバイス研究所
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斉藤 好昭
(株)東芝 研究開発センター
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斉藤 好昭
東芝
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吉武 務
日本電気(株)基礎研
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日高 睦夫
ISTEC
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吉川 将寿
東芝 研究開発センター
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斉藤 好昭
株式会社東芝研究開発センター
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上田 知正
株式会社東芝研究開発センター
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菊田 邦子
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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岸 達也
株式会社東芝研究開発センター
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浅尾 吉昭
東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター 不揮発性メモリデバイス技術開発部
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與田 博明
東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター 不揮発性メモリデバイス技術開発部
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天野 実
東芝研究開発センター
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村上 誠一
Nec宇宙開発事業部
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蔡 兆申
Necエレクトロニクス研究所:riken
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根橋 竜介
日本電気(株)
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本庄 弘明
日本電気(株)
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加藤 有光
日本電気(株)
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森 馨
日本電気(株)
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大嶋 則和
日本電気(株)
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鈴木 哲広
日本電気(株)
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石綿 延行
日本電気(株)
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深見 俊輔
日本電気(株)
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杉林 直彦
日本電気株式会社
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辻 清孝
日本電気(株)システムデバイス研究所
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福本 能之
日本電気(株)システムデバイス研究所
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齋藤 信作
日本電気(株)システムデバイス研究所
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向井 智徳
日本電気(株)システムデバイス研究所
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斎藤 信作
日本電気(株)システムデバイス研究所
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末光 克巳
NEC機能エレクトロニクス研究所
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大嶋 則和
Nec
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福本 能之
NEC
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沼田 秀昭
NEC
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川中 雅史
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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川中 雅史
NEC光・無線デバイス研究所
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萬 伸一
超電導工学研究所
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川上 彰
郵政省通信総合研究所 関西先端研究センター
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水沢 秀一
NEC基礎研究所
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加藤 千夏
NEC基礎研究所
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田原 修一
日本電気 (株) 基礎研究所
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土田 早苗
NEC基礎研究所
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早川 尚夫
名古屋大学工学研究科
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甲斐 正
株式会社東芝研究開発センター
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石綿 延行
NECシステムデバイス研究所
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與田 博明
東芝
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服部 渉
日本電気(株) 基礎研究所
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田中 慎二
日本電気株式会社
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鈴木 真二
日本電気(株)
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鈴木 真二
Nec宇宙開発事
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蔡 兆申
NEC基礎・環境研究所
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乾 哲司
NEC資源環境技術研究所
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浅尾 吉昭
株式会社 東芝、研究開発センター
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與田 博明
株式会社 東芝、研究開発センター
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齊藤 敦
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NEC光・超高周波デバイス研究所
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NEC光・超高周波デバイス研究所
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早川 尚夫
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嶋脇 秀徳
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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嶋脇 秀徳
Nec化合物デバイス事業部
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岸 達也
(株)東芝研究開発センター
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斎藤 信作
日本電気(株)
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通信総合研究所 関西先端研究センター
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斉藤 敦
長岡技術科学大学工学部電気系
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王 鎮
郵政省通信総合研究所関西先端研究センター
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佐藤 信好
長岡技術科学大学・工学部・電気系
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齋藤 敦
長岡技術科学大学・工学部・電気系
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川上 彰
通信総合研究所関西支所 超電導研究室
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斉藤 敦
山形大学 工学部
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日高 睦夫
国際超電導産業技術研究セ
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鈴木 真二
Nec
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藤 巻朗
名古屋大学 工学部
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天宮 泰
NECデバイスプラットフォーム研究所
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齋藤 敦
山形大工
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天宮 泰
日本電気株式会社
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橋本 義仁
超電導工学研究所:(現)nec
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早川 尚夫
名古屋大
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崎村 昇
NECシリコンシステム研究所
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本田 雄士
NECシリコンシステム研究所
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三浦 貞彦
NECシリコンシステム研究所
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沼田 秀昭
NECシリコンシステム研究所
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沼田 秀昭
NEC 基礎研究所
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三浦 貞彦
NEC 基礎研究所
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加藤 千夏
NEC 基礎研究所
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萬 伸一
NEC 基礎研究所
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Zinoviev D.
ニューヨーク州立大学
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Likharev K.
ニューヨーク州立大学
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早川 尚夫
名古屋大学工学部
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天野 実
東芝
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寺井 弘高
NEC基礎研究所
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菊田 邦子
日本電気株式会社ulsiデバイス開発研究所
-
斉藤 好昭
東芝 研開セ
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天宮 泰
Nec光・無線デバイス研究所
-
萬 伸一
Nec 基礎研
-
三浦 貞彦
日本電気 グリーンイノベーション研究所
-
田中 愼一
芝浦工業大学工学部
-
齋藤 敦
長岡技術科学大学
-
永原 聖万
Nec
-
萬 伸一
Nec 基礎・環境研
-
萬 伸
Nec基礎研究所
-
甲斐 正
(株)東芝 研究開発センター
著作論文
- 冷凍機冷却高温超電導サンプラーのシステム応用
- [特別招待講演]MRAMの高性能化とその課題(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
- 4MbMRAMとその応用(新メモリ技術とシステムLSI)
- 4Mb-MRAMのインテグレーション技術
- 高耐熱 Ni_xFe_/Al-oxide/Ta フリー層を用いた強磁性トンネル接合の磁化反転特性
- ジョセフソン256ワード16ビットRAMの高周波クロック動作
- 高速ジョセフソン記憶回路技術
- 磁束トラップ防止技術と4KRAMへの適用
- ECRプラズマエッチングとバイアススパッタ平坦化によるジョセフソン記憶セルの微細化
- ジョセフソンデジタルLSI技術
- ジョセフソン記憶回路の高周波クロック動作 (超伝導エレクトロニクス/一般)
- ジョセフソン256ワールド16ビットRAMの設計
- GHzクロックメモリテスター(JBIST)の測定評価
- ジョセフソンドライバ回路のGHzクロック動作の評価
- 大容量、高速、低電力、6F^2 MRAMセルのデバイスデザインおよびプロセスインテグレーション : 新しい磁化反転方式の提案(新型不揮発性メモリ)
- MRAM技術の進展と課題(新型不揮発性メモリー)
- 混載メモリ用途に適した抵抗比読み出し型MRAM
- YBCOマイクロストリップ共振器およびフィルタの電力依存性に及ぼす薄膜微細構造の影響
- 大容量MRAM技術の開発 : 新規MTJ形状と精密MTJエッチングによる書き込みマージンの拡大(新型不揮発性メモリ)
- MRAMの開発の現状と将来性(新メモリ技術,メモリ応用技術,一般)
- MRAMの特徴とMRAM技術
- 混載メモリ用途に適した抵抗比読み出し型MRAM(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- 電磁エネルギーの有効利用 広がる超電導技術の応用(完)AIMセルバッファ用高温超電導遅延メモリの開発
- 高温超伝導伝送線路を用いたインタコネクションと遅延線メモリの提案
- 高速ATMセルバッファ用高温超伝導遅延線メモリの提案
- YBaCuO薄膜のマイクロ波特性のCu組成依存性
- YBaCuO薄膜の表面抵抗のCu組成依存性
- 12-GHz帯YBCO共振器-AlGaAs/GaAs HBTハイブリッド発振器
- エキシマレーザー蒸着法による高温超伝導薄膜のマイクロ波特性
- Nb/Al+AlO_x, constrictions/Nbデバイスの1/fノイズ特性
- Nb/Al+AlO_x, constrictions/Nbデバイスの1/fノイズ特性
- 超伝導集積回路へのGHzクロック給電のためのマルチバンド整合回路
- 超伝導リングネットワークのためのリンダインターフェーススイッチの動作実験
- オンチップ信号発生回路によるジョセフソン論理回路の高速動作試験
- 512KbクロスポイントセルMRAM(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
- 磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)
- スピントンネル素子を用いた1 bit MRAMの検討
- 超伝導論理回路の高速動作実証のためのクロック・ドリブン・オンチップ・テスト
- ジョセフソン高速信号発生回路の提案と評価
- 超伝導ネットワークシステムスイッチングノードの動作実験
- 超伝導データ交換スイッチの基本動作実験
- 単一磁束量子を情報担体とする超高速論理回路
- SC-5-3 単一磁束量子回路を用いた大容量パケットスイッチ
- 内部高速化SFQ Batcher-Banyan網の提案と性能評価
- SFQ技術を用いた超高速大容量交換システムの提案
- SFQパルスアービタ回路の動作実験
- SFQパルスアービタ回路の動作実験
- D-6-9 ペタフロップススケールコンピューティングのためのSFQネットワーク
- 高温超伝導伝送線路を用いたインタコネクションと遅延線メモリの提案
- YBaCuO薄膜の表面抵抗のCu組成依存性
- ジョセフソンデジタルLSI技術の進展
- 超電導ネットワークシステムの開発 (特集 超電導特集) -- (ジョセフソン素子ハイブリツドシステムの技術開発)
- オーバーダンプNb/AIOx/Nb接合を用いたノンラッチングサンプラー
- 高温超伝導サンプラー
- 量子磁束を使ってコンピューティング
- 超伝導インターコネクションチップの構成と動作 (超伝導エレクトロニクス/一般)
- 3ノード超伝導ネットワークシステムのGbps級パケット制御