MRAMの開発の現状と将来性(新メモリ技術,メモリ応用技術,一般)
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概要
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将来のユビキタスシステムでは、不揮発性メモリの性能が、システム性能に大きな影響を与えると考えられている。そのため、不揮発性メモリの高性能化をめざし、シリコン以外の材料を使ったFeRAM、MRAM、PRAM、REAM等の不揮発性メモリが数多く提案されている。それらの中でMRAMは、原理的に、低電圧動作が可能で、動作温度範囲が広く、書換え耐性が無限大であるという特徴を持っている。MRAM回路の特徴を他の新メモリ技術と比較した上で、MRAM開発の現状を紹介し、将来性について議論する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-04-16
著者
-
杉林 直彦
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
田原 修一
NEC基礎研究所
-
土田 賢二
株式会社東芝研究開発センター
-
與田 博明
株式会社東芝研究開発センター
-
田原 修一
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
-
杉林 直彦
日本電気株式会社
-
與田 博明
(株)東芝 研究開発センター
-
田原 修一
日本電気(株) システムデバイス研究所
-
田原 修一
日本電気株式会社
-
田原 修一
NECシステムデバイス研究所
-
與田 博明
(株)東芝
-
杉林 直彦
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
土田 賢三
(株)東芝半導体研究開発センター
-
土田 賢二
(株)東芝半導体研究開発センター
-
與田 博明
東芝 研開セ
-
與田 博明
株式会社東芝半導体研究開発センター
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