512KbクロスポイントセルMRAM(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
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概要
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メモリセルがワード線とビット線、記憶素子であるMTJだけで構成される512KbクロスポイントセルMRAMを0.25μm CMOS プロセスと0.6μm MRAMプロセスを用いて設計した。我々は、ダミーセルを用いて読み出し精度を向上させる技術と、自己リファレンス方式で動作するスィッチトキャパシタセンスアンプを開発した。これらの回路技術により、クロスポイントセルの微小信号にも関わらず高い信頼性で読み出すことが可能となった。本MRAMの評価より、2.5Vで0.8μsecのアクセスタイムを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-04-03
著者
-
崎村 昇
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
三浦 貞彦
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
杉林 直彦
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
波田 博光
NECシリコンシステム研究所
-
波田 博光
日本電気(株)
-
田原 修一
NEC基礎研究所
-
本田 雄士
日本電気(株)システムデバイス研究所
-
沼田 秀昭
日本電気(株)システムデバイス研究所
-
田原 修一
日本電気(株) システムデバイス研究所
-
田原 修一
日本電気株式会社
-
田原 修一
NECシステムデバイス研究所
-
本田 雄士
Nec基礎研究所
-
杉林 直彦
NECシリコンシステム研究所
-
田原 修一
NECシリコンシステム研究所
-
杉林 直彦
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
崎村 昇
NECシリコンシステム研究所
-
本田 雄士
NECシリコンシステム研究所
-
三浦 貞彦
NECシリコンシステム研究所
-
沼田 秀昭
NECシリコンシステム研究所
-
Honda T
Fukuoka Univ. Fukuoka Jpn
-
崎村 昇
NEC グリーンイノベーション研究所
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