大容量MRAM技術の開発 : 新規MTJ形状と精密MTJエッチングによる書き込みマージンの拡大(新型不揮発性メモリ)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
0.13μm CMOS回路上に形成された1M-MTJ MRAM (1Mega-Magnetoresistive Tunneling Junction Magnetoresistive Random Access Memory)において、99.9998%以上のビット歩留まりを得ることに成功した。そのキー技術として新規MTJ形状を用いたアステロイド曲線制御技術と精密MTJエッチング技術を開発し、反転磁界ばらつき低減と書き込みマージンの拡大を実現した。また、書き込み電流を約40%低減するヨーク配線技術および8F^2までのセル微細化を可能にするセルフアライメントMTJ加工技術も開発した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-03-07
著者
-
吉川 将寿
(株)東芝 研究開発センター
-
波田 博光
日本電気(株)
-
田原 修一
日本電気(株)基礎研究所
-
田原 修一
NEC基礎研究所
-
吉川 将寿
東芝 研究開発センター
-
浅尾 吉昭
(株)東芝 研究開発センター
-
與田 博明
(株)東芝 研究開発センター
-
田原 修一
日本電気(株) システムデバイス研究所
-
田原 修一
日本電気株式会社
-
田原 修一
NECシステムデバイス研究所
-
池川 純夫
(株)東芝研究開発センター
-
與田 博明
(株)東芝
-
土田 賢二
(株)東芝SoC研究開発センター
-
甲斐 正
(株)東芝研究開発センター
-
池川 純夫
(株)東芝 基礎研究所
-
浅尾 吉昭
(株)東芝研究開発センター
-
土田 賢三
(株)東芝半導体研究開発センター
-
土田 賢二
(株)東芝半導体研究開発センター
-
池川 純夫
東芝研究開発センター
-
與田 博明
東芝 研開セ
-
甲斐 正
(株)東芝 研究開発センター
関連論文
- 招待講演 MRAMの最新動向とクランプ参照方式と最適参照方式を搭載した64メガビットMRAM (集積回路)
- IrMn交換結合特性の膜厚依存性と結晶構造の関係
- 高疲労耐性を有する96KbitCMVP・FeRAMを搭載したコンタクトレス型スマートカード用LSI
- 高温超伝導サンプラーを用いた高周波電流波形観測
- 高温超伝導サンプラーを用いたGHz帯正弦波電流の非接触計測
- SC-6-1 高温超伝導サンプラーを用いた非接触電流波形観測
- 高温超伝導サンプラーを用いたGHz電流波形計測装置
- 冷凍機冷却高温超電導サンプラーのシステム応用
- 高温超伝導体を用いた超高速計測技術
- [特別招待講演]MRAMの高性能化とその課題(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
- 大容量MRAMの展望
- 携帯機器に適した低電圧・高速・高信頼性 16Mb MRAM(新メモリ技術とシステムLSI)
- MRAMの技術動向、今後の展開、32MbMRAM開発(メモリ技術)
- 4MbMRAMとその応用(新メモリ技術とシステムLSI)
- 4Mb-MRAMのインテグレーション技術
- 高耐熱 Ni_xFe_/Al-oxide/Ta フリー層を用いた強磁性トンネル接合の磁化反転特性
- ジョセフソン256ワード16ビットRAMの高周波クロック動作
- 高速ジョセフソン記憶回路技術
- 磁束トラップ防止技術と4KRAMへの適用
- ECRプラズマエッチングとバイアススパッタ平坦化によるジョセフソン記憶セルの微細化
- ジョセフソンデジタルLSI技術
- ジョセフソン記憶回路の高周波クロック動作 (超伝導エレクトロニクス/一般)
- 2000ゲートジョセフソン論理回路のためのトランスフォーマーによるGHzクロック供給実験 (超伝導エレクトロニクス/一般)
- ジョセフソン256ワールド16ビットRAMの設計
- GHzクロックメモリテスター(JBIST)の測定評価
- ジョセフソンBISTシステムの設計
- ジョセフソンドライバ回路のGHzクロック動作の評価
- スピンバルブ型CPP-GMR薄膜の高性能化
- シミュレーションによるCPP-GMR素子のHDDへの適用検討
- CPP型スピンバルブ薄膜におけるGMR増大効果
- スピンバルブタイプCPPGMRにおける出力増大効果
- 超電導エレクトロニクスについて
- 大容量、高速、低電力、6F^2 MRAMセルのデバイスデザインおよびプロセスインテグレーション : 新しい磁化反転方式の提案(新型不揮発性メモリ)
- 大容量、高速、低電力、6F^2 MRAMセルのデバイスデザインおよびプロセスインテグレーション : 新しい磁化反転方式の提案
- MRAM技術の進展と課題(新型不揮発性メモリー)
- 高温超伝導遅延線を高スループットATMスイッチに用いるための初期検討
- 混載メモリ用途に適した抵抗比読み出し型MRAM
- 垂直磁化方式スピン注入書き込みMRAM
- YBCOマイクロストリップ共振器およびフィルタの電力依存性に及ぼす薄膜微細構造の影響
- 人と地球にやさしい情報社会の実現をサポートするナノテクノロジー(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 高集積MRAMに向けた、良好なスケーラビリティーをもつ重直磁化方式MTJの開発
- 垂直磁化方式を用いたスピン注入磁化反転によるMRAMスケーラビリティの展望(信号処理および一般)
- 垂直磁化方式を用いたスピン注入磁化反転によるMRAMスケーラビリティの展望(信号処理及び一般)
- 大容量MRAM技術の開発 : 新規MTJ形状と精密MTJエッチングによる書き込みマージンの拡大(新型不揮発性メモリ)
- 大容量MRAMへの書込み特性の向上
- MRAMの開発の現状と将来性(新メモリ技術,メモリ応用技術,一般)
- MRAMの特徴とMRAM技術
- 混載メモリ用途に適した抵抗比読み出し型MRAM(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- MRAM : 開発の最前線
- スピンバルブGMRにおけるESD耐性のリード構造依存性
- 電磁エネルギーの有効利用 広がる超電導技術の応用(完)AIMセルバッファ用高温超電導遅延メモリの開発
- 高温超伝導伝送線路を用いたインタコネクションと遅延線メモリの提案
- 高速ATMセルバッファ用高温超伝導遅延線メモリの提案
- YBaCuO薄膜のマイクロ波特性のCu組成依存性
- YBaCuO薄膜の表面抵抗のCu組成依存性
- 12-GHz帯YBCO共振器-AlGaAs/GaAs HBTハイブリッド発振器
- エキシマレーザー蒸着法による高温超伝導薄膜のマイクロ波特性
- Nb/Al+AlO_x, constrictions/Nbデバイスの1/fノイズ特性
- Nb/Al+AlO_x, constrictions/Nbデバイスの1/fノイズ特性
- 超伝導集積回路へのGHzクロック給電のためのマルチバンド整合回路
- 超伝導リングネットワークのためのリンダインターフェーススイッチの動作実験
- オンチップ信号発生回路によるジョセフソン論理回路の高速動作試験
- ジョセフソンBISTシステムの設計
- MRAMの最新動向とクランプ参照方式と最適参照方式を搭載した64メガビットMRAM(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 新バイアス構造によるサブミクロン対応GMRヘッド
- SOI上に形成された1Tゲインセル(FBC)を使ったメモリ設計 : 4F^2サイズの新原理メモリセルの提案
- 512KbクロスポイントセルMRAM(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
- 磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)
- スピントンネル素子を用いた1 bit MRAMの検討
- 超伝導論理回路の高速動作実証のためのクロック・ドリブン・オンチップ・テスト
- ジョセフソン高速信号発生回路の提案と評価
- 超伝導ネットワークシステムスイッチングノードの動作実験
- 超伝導データ交換スイッチの基本動作実験
- 強誘電体メモリーの基礎特性と今後の展開
- 多分割アレイ構造を有する30ns 256Mb DRAM
- 単一磁束量子を情報担体とする超高速論理回路
- SC-5-3 単一磁束量子回路を用いた大容量パケットスイッチ
- 内部高速化SFQ Batcher-Banyan網の提案と性能評価
- SFQ技術を用いた超高速大容量交換システムの提案
- SFQパルスアービタ回路の動作実験
- SFQパルスアービタ回路の動作実験
- D-6-9 ペタフロップススケールコンピューティングのためのSFQネットワーク
- 高温超伝導伝送線路を用いたインタコネクションと遅延線メモリの提案
- YBaCuO薄膜の表面抵抗のCu組成依存性
- ジョセフソンデジタルLSI技術の進展
- 超電導ネットワークシステムの開発 (特集 超電導特集) -- (ジョセフソン素子ハイブリツドシステムの技術開発)
- リードオーバーレイト構造による耐ESD性の向上
- 高飽和磁化FeCo合金軟磁性薄膜の磁気特性
- MRAM多層化におけるMTJ抵抗の重み付け係数の最適化
- TbCoFe/CoFeB垂直磁化膜を用いたMRAM素子におけるスピン注入磁化反転の実証(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))
- 磁極分離構造記録ヘッドの狭トラック加工性と記録特性
- オーバーダンプNb/AIOx/Nb接合を用いたノンラッチングサンプラー
- 異方性選択エピタキシャル成長を用いたギガビットDRAMコンタクト技術 : セルフアラインコンタクトパッドの形成
- 高温超伝導サンプラー
- CoFeスピンバルプを用いたGMR記録再生一体ヘッド
- 人と地球にやさしい情報社会の実現をサポートするナノテクノロジー(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 面内および垂直磁化ナノピラーのスピン注入による高速磁化反転
- 量子磁束を使ってコンピューティング
- 超伝導インターコネクションチップの構成と動作 (超伝導エレクトロニクス/一般)
- 3ノード超伝導ネットワークシステムのGbps級パケット制御