IrMn交換結合特性の膜厚依存性と結晶構造の関係
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1998-09-01
著者
-
岩崎 仁志
(株)東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ
-
福家 ひろみ
(株)東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ
-
福家 ひろみ
(株)東芝研究開発センター
-
佐橋 政司
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
吉川 将寿
(株)東芝 研究開発センター
-
斎藤 和浩
(株)東芝 研究開発センター
-
佐橋 政司
(株)東芝 研究開発センター
-
斉藤 和浩
(株)東芝研究開発センター
-
佐藤 政司
(株)東芝研究開発センター、材料・デバイス研究所
-
吉川 将寿
東芝 研究開発センター
-
佐橋 政司
東北大学 大学院工学研究科 電子工学専攻
-
佐橋 政司
(株)東芝
-
岩崎 仁志
(株)東芝
-
福家 ひろみ
(株)東芝 研究開発センター 記憶材料・デバイスラボラトリ
関連論文
- 1平方インチあたり2テラビット以上の記録密度でのCPP-MR素子の要求特性(記録システムおよび一般)
- 垂直通電スピンバルブ型ナノコンタクト磁気抵抗効果膜
- スピンバルブ構造を持ったFeCoナノコンタクトMR(記録システムおよび一般)
- スピンバルブ構造を持ったFeCoナノコンタクトMR(記録システム及び一般)
- FeCoナノコンタクトを用いたCPPスピンバルブの磁気抵抗効果(垂直磁気記録及び一般)
- FeCoナノコンタクトを用いたCPPスピンバルブの磁気抵抗効果 (マルチメディアストレージ)
- CCP-NOLを用いたCPP-GMRスピンバルブ膜(「磁性薄膜作製技術」)
- 電流狭窄構造によるCPP-GMRのMR変化率の増大効果
- 電流狭窄構造によるCPP-GMRのMR変化率の増大効果(垂直記録及び一般)
- DWMR素子のR-H曲線へのセンス電流の影響とマイクロ波の発振