ナノ酸化物層(NOL)技術による垂直通電型巨大磁気抵抗効果(CPP-GMR)素子の作製
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概要
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- 2003-11-28
著者
-
岩崎 仁志
(株)東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ
-
鴻井 克彦
(株)東芝研究開発センター
-
福沢 英明
(株)東芝
-
高岸 雅行
(株)東芝
-
福沢 英明
(株)東芝研究開発センター
-
岩崎 仁志
(株)東芝
-
鴻井 克彦
(株)東芝 デジタルメディアネットワーク社
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