スピンバルブ構造を持ったFeCoナノコンタクトMR(記録システムおよび一般)
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概要
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RA(resistance area product)が0.5〜1.5Ω μm^2でMR比が7-10%の強磁性ナノコンタクトMR膜を作成した。この膜はヘッドに応用可能なスピンバルブ(SV)構造を持ち、アルミのNOL(nano-oxide-layer)の中に電流狭窄部として強磁性のFeCoナノコンタクトが形成されている。Conductive atomic-force-microscopyを用いることによりAl-NOL中に数ナノメートルのメタルパスが明確に観察できた。RAとMR比の関係はメタルパスで電子が散乱される電流狭窄モデルでうまく説明できた。またバイアス電圧と抵抗の関係もオーミック特性とジュール熱で説明され、TMRとは明確に区別できる。これらのことから、このナノコンタクトのMR効果は主に強磁性で作られた狭窄部分にできる磁壁の散乱によるものだと推察される。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 2008-06-12
著者
-
高岸 雅幸
(株)東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ
-
岩崎 仁志
(株)東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ
-
福家 ひろみ
(株)東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ
-
橋本 進
(株)東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ
-
福家 ひろみ
株式会社東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリー
-
高岸 雅幸
株式会社東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ
-
橋本 進
株式会社東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ
-
岩崎 仁志
株式会社東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ
-
岩崎 仁志
東芝研究開発センター
-
岩崎 仁志
株式会社東芝 研究開発センター 記憶材料・デバイスラボラトリ
-
福家 ひろみ
株式会社東芝 研究開発センター 記憶材料・デバイスラボラトリ
-
高岸 雅幸
株式会社東芝 研究開発センター 記憶材料・デバイスラボラトリ
-
橋本 進
株式会社東芝 研究開発センター 記憶材料・デバイスラボラトリ
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